奥村 佳弘 | ミノルタ株式会社研究開発本部
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概要
関連著者
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奥村 佳弘
ミノルタ株式会社研究開発本部
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大
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安藤 隆男
静岡大学
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安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
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安藤 隆男
財団法人浜松地域テクノポリス推進機構浜松地域知的クラスター本部
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安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
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奥村 佳弘
静岡大学電子工学研究所
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澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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澤田 和明
豊橋技術科学大学
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澤田 和明
静岡大学・電子工学研究所
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奥村 佳弘
静岡大学・電子工学研究所
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北村 健
ミノルタ株式会社研究開発本部
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ミノルタ株式会社
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宮武 茂博
ミノルタ株式会社
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石田 耕一
ミノルタ株式会社
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増田 敏
ミノルタ株式会社研究開発本部
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安藤 隆男
静岡大
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澤田 和明
静岡大
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澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大学・電子工学研究所
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安藤 隆男
静岡大学・電子工学研究所
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真鍋 洋明
静岡大学電子工学研究所
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宮武 茂博
ミノルタ
著作論文
- a-Si/c-Si積層構造における光電流増倍現象
- 12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
- 5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
- a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
- Si : H/a-Si_C_x : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- 2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
- a-Si:H/a-Si_1-xC_x:H傾斜構造を用いた光電変換膜による光電流増倍