2-4 a-Si : H p-i-n(SI sub.)アバランシェフォトダイオードの光電流増倍および暗電流発生機構の検討
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概要
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The photocurrent multiplication has been observed in a-Si;H pin photodiode films. The temperature dependence of the photocurrent and current in this photodiode was investigated. It was found that two origins caused the dark current. In a low electric field, the generation at crystal silicon/a-Si interface is dominant, and the band-to-band tunneling breakdown is occurred in an intrinsic a-Si : H layer in a high electric fields. Moreover, It was found that the photocurrent avalanche multiplication is strongly affected with the geminate-recombination phenomena.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1997-07-29
著者
-
増田 敏
静岡大学電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
-
安藤 隆男
財団法人浜松地域テクノポリス推進機構浜松地域知的クラスター本部
-
澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
-
真鍋 洋明
静岡大学電子工学研究所
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