17-1 a-Si : H/a-SiC : H傾斜超格子構造フォトダイオードの光電流特性
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概要
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Photocurrent characteristics of a-Si : H/a-SiC : H graded-superlattice structure photodiode film were investigated. It was experimentally confirmed that the quantum efficiency of this photodiode exceeds unity, because of an enhancement of an ionization rate by conduction bandedge discontinuitys.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1993-07-27
著者
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