クレータ型高電流密度シリコンフールドエミッタの検討 : 撮像デバイス技術および一般 : 情報入力
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概要
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撮像デバイスの読み出し部として電界放出エミッタを使用する場合に必要な、高電流密度エミッタとしてクレータ型の電界放出エミッタを提案した。n型Si基板を使用したクレータ型エミッタの放出電子特性は、Fowler-Nordheimの関係式を満たし電子の放出が確認できた。p型Si基板で製作したエミッタの放出電流は飽和し、飽和電流値は表面準位による表面発生速度とエミッション面積の積で決まることが分かった。さらにクレータ型エミッタは従来のコーン型エミッタにくらべ約100倍大きな密度の電子を放出可能なことが確かめられ、撮像素子の読みだし用電子源として十分に使用できることが明らかになった。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1993-09-24
著者
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