2-3 MOS-FETのサブスレッショルド特性を利用した対数的光電変換素子
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概要
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In this paper, Logarithmic photoreceptor using subthreshold operation of MOS-FET is investigated. The fabricated photoreceptor device outputs -2.9〜-2.5V corresponding to incident light power from 10^<-7>W/cm^2 to 10^<-4>W/cm^2.
- 1991-07-28
著者
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
-
水谷 友一
静岡大学電子工学研究所
-
大隅 淑弘
岡山大学総合情報基盤センター
-
水谷 友一
静岡大学大学院工学研究科
-
大隅 淑弘
静岡大学電子工学研究所
-
沢田 和明
静岡大学電子工学研究所
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