22-2 a-Si_3N_4膜をブロッキング層としたSAM型a-Si : H薄膜フォトダイオード
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概要
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a-Si : H SAM type photodiodes with a-Si_3N_4 films were investigated to block injection currents from electrodes. No injection currents, which were influenced by incidence lights, were observed, and dark currents were also decreased less than 1/30. The quantum efficiency of this photodiode was exceed by 1. The photo-response of the photodiodes with a-Si_3N_4 films was much faster than that of the photodiodes without a-Si_3N_4 films to block injection currents from electrodes.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1992-07-28
著者
-
山崎 順一
NHK放送技術局
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
-
小杉 美津男
NHK放送技術研究所
-
澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
-
片山 功
静岡大
-
片山 功
静岡大学電子工学研究所
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