アモルファスSiとアモルファスSeの積層光導電ターゲット
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概要
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水素化アモルファスシリコン(a-Si : H)とアモルファスセレン(a-Se)とを積層した光導電ターゲットを製作した.接合部に30%のAsを含むa-Se層300Åを中間層として介在させ, 残像特性等の改善を図った.このターゲットは可視光全域で高感度が得られる.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1988-05-20
著者
-
谷岡 健吉
NHK放送技術研究所
-
山崎 順一
NHK放送技術局
-
高嵜 幸男
日立
-
小杉 美津男
NHK放送技術研究所
-
高崎 幸男
日立
-
辻 和隆
(株)日立製作所 日立研究所
-
辻 和隆
日立
-
辻 和隆
株式会社日立製作所中央研究所
-
高嵜 幸男
株式会社日立製作所中央研究所
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