4-1 集積型薄膜EL素子の作製
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概要
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It is known that hot electrons that excite lunimescent centers are injected into an emitting layer from p-Si as a result of a band bending in Si at the interface between SiO_2 and p-Si. Therefore low voltage driving of a EL device is expected. In this study, a thin-film EL device is prepared on p-MOSFET in order to apply this fact. Luminance of about 10cd/m^2 was obtained from ITO/ZnS : Tb/SiO_2/p-n Si/Al device structure.
- 1996-07-17
著者
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
-
水野 武志
静岡大学電子工学研究所
-
今田 武史
静岡大学電子工学研究所
-
今田 武史
静岡大学 電子工学研究所
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