ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiC薄膜の低温形成 -第2報-
スポンサーリンク
概要
著者
-
佐野 慶一郎
スズキ(株) 技術本部開発第二部
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
野村 雅也
スズキ(株) 技術本部開発第二部
-
玉巻 宏章
スズキ(株)技術本部開発第二部
-
玉巻 宏章
スズキ(株) 技術本部開発第二部
関連論文
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- プラズマ励起化学気相堆積法により作製した水酸基終端型アモルファスTiO_X膜の親水特性
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- a-Si/c-Si積層構造における光電流増倍現象
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- EID2000-11 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
- 均質沈殿法によって合成したY_2O_3:Eu赤色蛍光体のモフォロジー及び発光特性に対する焼結の効果
- 燃焼法による蛍光体の合成
- Y_2O_2S : Eu^赤色微粒子蛍光体の合成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- エネルギー弁別型フォトンカウンティング放射線ラインセンサ(X線カラースキャナ)
- Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 18-2 電子ビーム蒸着法により作製したZnO薄膜の発光特性
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- ガラス管内部形状の高精度加工 : ホロ・カソードジェット型プラズマ源の制作
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- 12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
- 5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
- a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
- Si : H/a-Si_C_x : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- 2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
- a-Si:H/a-Si_1-xC_x:H傾斜構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- 22-1 a-SiC : H/a-Si : Hヘテロ接合を用いた光電流増倍型フォトセンサーと新しいスイッチング素子
- アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- 2-7 アモルファスシリコン紫外線イメージセンサー
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の発光特性
- 青色発光CaS:Cu,F薄膜の発光特性
- 18-3 CaS : Cu, F薄膜の構造及び発光特性
- 青色発光CaS : Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
- 4-3 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性
- 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
- 6)多元蒸着により作製したSrSe : Ce薄膜の構造および発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- 5)ZnS : Tm, F薄膜の電荷補償(情報ディスプレイ研究会)
- 多元蒸着により作製したSrSe:Ce薄膜の構造及び発光特性 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- 燃焼法による蛍光体の合成
- 水素ラジカル励起MOCVD法による Si 上への ZnSe の成長
- Zn添加酸化物蛍光体の作製と低速電子線励起発光特性
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- ゾル-ゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光特性
- 赤色発光SrTiO_3:PrAl蛍光体におけるAl添加効果
- ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_XTe_混晶の成長
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長
- 1)アモルファスシリコン受光デバイスにおける電極界面の検討(情報入力研究会)
- アモルファスシリコン受光デバイスにおける電極界面の検討
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- ガス滴定法による中性原子ラジカルの計測
- 8)NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定
- アルキルシラン単一原料を用いた原子状水素励起化学気相堆積
- 希土類付活SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiC薄膜の低温形成 -第2報-
- ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiO_2薄膜の低温形成 -第3報-
- ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiC薄膜の低温形成 -第1報-
- ECRプラズマを利用したプラスチックへの薄膜形成について
- ECRプラズマCVDによるプラスチック上へのSiC薄膜の低温形成
- TEOS/O_2プラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiO_2薄膜の低温形成 -第二報-
- ECRプラズマCVDによるプラスチック上へのSiC薄膜の形成
- TEOS/O_2プラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiO_2薄膜の低温形成 -第1報-
- バンパの高分子成分におけるプラズマ処理の研究 -バンパの塗装前におけるプラズマ処理の応用-
- 2-1 堆積ボルカノ型エミッタの電子放出特性
- 14)蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察(情報ディスプレイ研究会)
- 蛍光体表面の改質による低速電子励起発光特性の向上
- 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察
- 15)ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
- ゾルーゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
- 真空技術と材料表面の高機能化