緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_<1-x>混晶の成長

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
緑色発光デバイスを目指してn型のZnTe系単結晶薄膜を得ることとバンドの制御を目的としてリモートプラズマ励起MOCVDによりZnTeおよびZnSe_xTe_<1-x>薄膜を成長した。良好なZnTe薄膜が得られたが、ドーパントとしてヨウ素を用いてn型ZnTe薄膜の作製を試みたが抵抗率の大きな変化は確認することができなかった。方、Se及びTe原料の比を変化させることにより全範囲で任意の組成比xを持つZnSe_xTe_<1-x>薄膜を成長することができた。ZnSe_<0.2>Te_<0.8>薄膜においてヨウ素ドーピングを試みたところ、n型として低抵抗化し、ZnSe_xTe_<1-x>混晶はバンド制御のみでなくn型化においても有効であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-01-17

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク