ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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リモートプラズマMOCVD法を用いて、Si(100)上SiO_2基板、r面サファイア基板、a面サファイア基板上にZnO薄膜およびZnOナノドットを作製した。II族原料にDEZn、VI族原料に酸素ガスを用いて、基板および基板温度を変化させることでZnOナノドットのサイズの影響について検討を行った。X線回折(XRD)測定の評価より、ZnO薄膜では基板によって成長する面方位が異なることを確認した。また成長速度の変化による各基板のドットサイズの変化、および同程度の成長速度で基板表面温度の差異によるr面、a面サファイア基板上のドットサイズの変化について検討をおこなった。a面サファイア基板の方がr面サファイア基板に比べて基板表面温度の影響を受けやすい傾向が見られた。また、フォトルミネッセンス評価により、代表的なZnOナノドットの光学的評価を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-19
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