中川 聡 | 静岡大学電子工学研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 静岡大学電子工学研究所の論文著者

関連著者

• 中村 篤志

  静岡大学電子工学研究所

• 天明 二郎

  静岡大学電子工学研究所

• 中川 聡

  静岡大学電子工学研究所

• 青木 徹

  静岡大学電子工学研究所

• 岡松 航太

  静岡大学電子工学研究所

• 青木 徹

  静岡大学・電子工学研究所

著作論文

• サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性
• ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性
• ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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