中村 篤志 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
-
天明 二郎
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
石原 純二
静岡大学電子工学研究所
-
中川 聡
静岡大学電子工学研究所
-
Niraula Madan
静岡大学電子科学研究科
-
ニラウラ マダン
名古屋工業大学・電気情報工学科
-
Niraula M
名古屋工大
-
ニラウラ マダン
名古屋工大 大学院
-
ニラウラ マダン
名古屋工業大学工学部
-
中村 篤志
静岡大学大学院・電子科学研究科
-
田中 昭
静岡大学電子工学研究所
-
重盛 聡
静岡大学電子工学研究所
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橋本 佳孝
静岡大学電子工学研究所
-
岡松 航太
静岡大学電子工学研究所
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野田 大二
静岡大学電子工学研究所
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野田 大ニ
静岡大学大学院電子科学研究科電子応用工学専攻画像電子デバイス講座
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畑中 義式
愛知工科大学
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清水 克美
静岡大学電子工学研究所
-
山本 兼司
静岡大学創造科学技術大学院
-
大橋 俊哉
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
章 国強
静岡大学電子工学研究所
-
浅野 浩司
静岡大学電子工学研究所
-
章国 強
静岡大学電子工学研究所
-
天明 二郎
静岡大学大学院電子科学研究科
-
青木 徹
静岡大学・電子工学研究所
-
清野 俊明
日本製鋼所
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
小川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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松井 宏樹
株式会社シーエムディーラボ
-
松井 宏樹
静岡大学電子工学研究所
-
松井 宏樹
北陸先端科学技術大学院大学情報科学研究科
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原川 崇
静岡大学電子工学研究所
-
大原 賢治
電子科学研究科
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安達 允彦
静岡大学電子工学研究所
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青嶌 剛嗣
静岡大学電子工学研究所
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大原 賢治
静岡大学電子科学研究科
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エリアス ムニョス
マドリッド工科大学isom
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清野 俊明
JSW株式会社 日本製鋼所
-
坪井 貴子
静岡大学電子工学研究所
-
ガンジル サンディップ
静岡大学電子工学研究所
-
林 隆雄
静岡大学電子工学研究所
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アルバロ ナバーロ
マドリッド工科大学ISOM
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ニラウラ マダン
静岡大学電子工学研究所
-
山本 兼司
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大
-
坂下 大祐
静岡大学・電子工学研究所
-
NIRAULA M.
静岡大学電子科学研究科
-
畑中 義式
浜松ホトニクスKK静岡大学電子工学研究所
-
石田 悠
静岡大学・電子工学研究所
-
坂下 大祐
静岡大学電子工学研究所
-
NIRAULA M.
名古屋工業大学・電気情報工学科
-
天明 二郎
静岡大学・電子工学研究所
-
野田 大二
静岡大学サテライトベンチャービジネスラボラトリー
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Niraula Madan
名古屋工業大学電気情報工学科
-
青木 徹[他]
静岡大学電子工学研究所
-
天明 二郎
静岡大学電子工学研究所:静岡大学大学院電子科学研究科
-
中村 篤志
静岡大学大学院電子科学研究科
著作論文
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成 (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_XTe_混晶の成長
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長
- ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器(画像変換技術)
- エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- レーザープロセスによるマルチピクセルp-i-n CdTeアレイ
- 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- エキシマレーザープロセスを用いたエネルギースペクトル計数型CdTe高エネルギー放射線イメージングデバイス
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- CdZnTe系化合物半導体を用いた放射線検出器用ダイオードの作製
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性
- 酸素リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長と評価
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
- ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_xZn_`O混晶の作製
- ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMgxZn_O混晶の作製
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Znoヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_XZn_O混晶の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
- リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CdTe 高エネルギー放射線イメージングデバイスによるガンマ線エネルギー弁別画像撮像
- リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
- 酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成