ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 酸化亜鉛ZnO(ウルツ鉱構造)はバンドギャップ3.3eVをもつワイドギャップ半導体であり、60meVの励起子結合エネルギーを持つため室温において高効率な励起子発光が期待できる紫外発光材料である。これまでにZnO系半導体におけるEgを1.8eV〜3.7eVまで制御し、その屈折率2.8〜1.9 at 1.96eVと波長分散を明確化した。今回は活性層となるZn_<1-x>Cd_xO薄膜の高品質化とZnO系DH構造からEL半値幅の改善を目指し、ZnO系DH接合の成長とEL発光評価を行った。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-05-17

著者

• 中村 篤志

  静岡大学電子工学研究所

• 天明 二郎

  静岡大学電子工学研究所

• 山本 兼司

  静岡大学創造科学技術大学院

• 大橋 俊哉

  静岡大学電子工学研究所

• 坪井 貴子

  静岡大学電子工学研究所

• ガンジル サンディップ

  静岡大学電子工学研究所

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