中西 洋一郎 | 静岡大学 電子科学研究科
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概要
関連著者
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中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
-
小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学 電子科学研究科
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
愛知工科大学
-
原 和彦
静岡大学 電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大
-
青木 徹
静岡大学 電子工学研究所
-
畑中 義式
浜松ホトニクスKK静岡大学電子工学研究所
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静大電子研
-
原 和彦
静岡大学
-
Kottaisamy M.
静岡大学 電子工学研究所
-
コッタイサミー M.
静岡大学電子工学研究所
-
佐野 友治
静岡大学 電子工学研究所
-
上倉 直喜
静岡大学 電子工学研究所・工学部
-
Kottaisamy M
静岡大学電子工学研究所
-
中島 宏佳
静岡大学電子科学研究科
-
中島 宏佳
静岡大学 電子科学研究科
-
纐纈 直行
静岡大学 電子工学研究所
-
中村 高遠
静岡大学 電子工学研究所・工学部
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Nakanishi Yoshiki
Department Of Materials Science And Engineering Iwate University
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
小南 裕子
静岡大学
-
新井 裕子
(株)日本製鋼所
-
中村 高遠
静岡大学工学部
-
山本 浩由
静岡大学 電子工学研究所
-
新井 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
中野 文樹
静岡大学 電子工学研究所・工学部
-
中村 高遠
静大院理工
-
Nakamura Tomoyuki
Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation
-
三本 明哲
静岡大学 電子工学研究所
-
袴田 新太郎
静岡大学電子科学研究科
-
袴田 新太郎
静岡大学 電子科学研究科
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo
-
中野 文樹
静岡大学 電子工学研究所
-
清野 俊明
日本製鋼所
-
中西 洋一郎
静岡大学
-
栗田 誠
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
東 直人
静岡大学工学部
-
水野 武志
静岡大学電子工学研究所
-
中島 徹
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大
-
桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
立岡 浩一
静岡大学 電子科学研究科
-
桑原 弘
静岡大学 電子科学研究科
-
東 直人
静岡大学 工学部
-
東 直人
静岡大学地域共同研究センター
-
Nakamura T
Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
Nakanishi Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Nakanishi Yoichiro
Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ
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今田 武史
静岡大学 電子工学研究所
-
水野 武志
静岡大学 電子工学研究所
-
江原 摩美
静岡大学電子科学研究科
-
江原 摩美
静岡大学 電子科学研究科
-
杉浦 健二
静岡大学電子工学研究所
-
杉浦 健二
静岡大学 電子工学研究所
-
中島 徹
静岡大学 電子工学研究所
-
Nakamura Tetsuro
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
武林 慶一郎
静岡大学 電子工学研究所
-
武林 慶一郎
静岡大学電子工学研究所
-
山崎 貴久
静岡大学
-
佐野 友治
静岡大学電子工学研究所
-
原 和彦
静岡大学電子工学研究所
-
寺田 享右
静岡大学電子工学研究所
-
山崎 貴久
静岡大学電子工学研究所
-
清野 俊明
(株)日本製鋼所
-
北村 健
ミノルタ株式会社研究開発本部
-
和田 英樹
静岡大学電子工学研究所
-
深田 晴己
静岡大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
Rao M.mohan
Central Electrochemical Research Institute
-
深田 晴己
静岡大学サテライト・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
深田 晴己
静岡大学svbl
-
Kottaisamy M.
静岡大学電子工学研究所
-
Mohan Rao
Central Electrochemical Research Institute
-
Jeyakumar D.
Central Electrochemical Research Institute
-
藤波 達雄
静岡大
-
立岡 浩一
静岡大学工学部
-
高田 健司
静岡大学電子工学研究所
-
寺田 享右
静岡大学 電子工学研究所
-
山崎 貴久
静岡大学 電子工学研究所
-
下平 美文
静岡大学 創造科学技術大学院
-
川角 明人
静岡大学 電子工学研究所
-
川角 明人
静岡大学電子工学研究所
-
桑原 弘
静岡大学電子科学研究科
-
芝 文広
静岡大学 電子工学研究所・工学部
-
D Jeyakumar
Central Electrochemical Research Institute
-
堀河 敬司
静岡大学電子工学研究所
-
尾関 芳孝
静岡大学電子工学研究所
-
ウィクラマナヤカ スニル
静岡大学電子工学研究所
-
スニル ウィクラマナヤカ
静岡大学 電子工学研究所
-
Jeyakumar D.
Central Electrochemical Res. Inst. Cecri‐csir Karaikudi Ind
-
加藤 泰樹
静岡大学電子工学研究所
-
澤田 和明
静岡大学 電子工学研究所
-
堀河 敬司
静岡大学 電子工学研究所
-
和田 英樹
静岡大学 電子工学研究所
-
尾関 芳孝
静岡大学 電子工学研究所
-
北村 健
静岡大学 電子工学研究所
-
高橋 正浩
静岡大学 電子工学研究所
-
原田 良祐
静岡大学工学部
-
高田 健司
静岡大学 電子工学研究所
-
原田 良祐
静岡大学 工学部
-
藤波 達雄
静岡大学 工学部
-
津田 和明
静岡大学 電子工学研究所
-
加藤 泰樹
静岡大学 電子工学研究所
-
立岡 浩一
静岡大学電子工学研究所
-
中川 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
- 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- Y_2O_2S:Eu^赤色微粒子蛍光体の合成
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製
- ゾル-ゲル法によるZnMgO/ZnO構造粒子の作製と発光特性の評価
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の発光特性
- 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4:Ce薄膜の作製
- Zn添加酸化物蛍光体の作製と低速電子線励起発光特性
- 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
- 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察
- 希土類添加Y_2O_3薄膜の低速電子線励起発光
- 集積型EL素子の作製と発光特性
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
- 青色発光(Sr_Ca_x)S:Cu,F薄膜EL素子の発光特性におけるH_2Sの効果
- リモートプラズマ法による有機シリコンからの窒化シリコン化合物薄膜の形成
- SrSe:Ce/ZnS:Mn積層薄膜の白色ELとRGB化 : 情報入力,情報ディスプレイ
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnSeの原子層エピタキシー
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnSeの原子層エピタキシー
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnSeの原子層エピタキシー
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色発光SrGa_2S_4:Ce薄膜のCe濃度と発光特性
- SrS:Cu, F薄膜EL素子の発光特性
- Cas:Cu, F薄膜の熱処理とEL特性
- PPVを配位子とした(π-アレーン)ルテニウム錯体の発光特性
- Si基板上のEL素子の集積化
- 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- 多元蒸着法による青色発光EL用CaGa_2S_4:Ce薄膜の作製
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Ce薄膜の構造及び発光特性 : 供給比、堆積速度、熱処理依存性
- 青色発光SrG_2S_4:Ce薄膜の低速電子線発光におけるH_2S処理の効果
- Si基板上に作製したSrS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性
- SrGa_2S_4:Ce薄膜の作製と電子線励起発光特性
- 広色域ディスプレイ用蛍光体の作製
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ディスプレイ用蛍光体の現状と課題
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価