Cas:Cu, F薄膜の熱処理とEL特性
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概要
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高輝度で優れた色純度の青色発光薄膜EL素子を目指し、CaS:Cu, F薄膜の作製を行い、アニール温度及び時間の違いによるPLの発光特性と結晶性の向上についての検討を行った。700℃以上のアニールにより、結晶性及びPL強度の向上が得られた。また、800℃以上の温度では、アニール時間は10分程度が適当であると分かった。10分までのアニールにより結晶性、PL強度ともに大きく向上したが、10分以上では飽和の傾向を示した。このことからアニール時間は10分程度が適当であると考えられる。Y_2O_3絶縁層、ZnSバッファ層を用いてEL素子を作製した。800℃以上の高温アニールでは、膜の剥離が生じ、高輝度の発光は得られていない。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-26
著者
-
小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
-
畑中 義式
静岡大学 電子科学研究科
-
中島 徹
静岡大学電子工学研究所
-
袴田 新太郎
静岡大学電子科学研究科
-
袴田 新太郎
静岡大学 電子科学研究科
-
中島 徹
静岡大学 電子工学研究所
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