Si基板上へのCaS : Cu, F薄膜EL素子の形成

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概要

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高輝度で優れた色純度の青色発光薄膜EL素子を目指し、CaS : Cu, F薄膜の作製を行い、アニール温度及び時間の違いによるPLの発光特性と結晶性の向上についての検討を行った。as-depo膜は、概ね[110]配向した膜であった。800℃以上の高温アニールでは、10分までのアニールにより結晶性PL強度ともに大きく向上し、PLでは420〜430nmの発光が得られた。また、10分以上では飽和の傾向を示した。このことからアニール時間は10分程度が適当であると考えられる。Si基板上に、絶縁層としてSiO_2及びY_2O_3、バッファ層としてZnSを用いてEL素子を作製した。本実験では、アニール時のキャップ層としてZnSを挿入する構造が最も良いと考えられる結果が得られた。そしてこの構造で、850℃, 15minのアニールをした素子から、輝度は低いものの、PLと同等の青色発光を確認できた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-01-17

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