リモートプラズマ励起MOCVDによるZnSeの原子層エピタキシー
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概要
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プラズマにより生成した水素ラジカルを用いて有機金属原料の分解を促進するリモートプラズマ励起MOCVDを用いて, GaAs (100)上へのZnSeのエピタキシャル成長を報告しているが, 今回, 将来的な超格子構造などの原子層レベルでの組成制御を目指して, 原料の交互供給による原子層エピタキシーを試みた. 各々の供給時間の増加でZnSeの格子定数とII族原料(DEZn)およびVI族原料(H_2Se)交互供給の1サイクルあたりの成長速度は格子定数からの計算とほぼ一致し原子層エピタキシーが行われていると考えられた. また, AFM観察によって本研究室でのMOCVD成長の場合に比べ, 成長したZnSeの表面が平坦になっていることが確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
著者
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