リモートプラズマ法による有機シリコンからの窒化シリコン化合物薄膜の形成

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概要

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原料にヘキサメチルジシラザン((CH_3)_3 SiNSi(CH_3)_3)を用いて、リモートプラズマCVD法により良質な絶縁膜の作製を試みた。プラズマ源には窒素、アルゴン、アンモニア(窒素希釈)、水素を用いてそれぞれの場合で膜質の検討を行った。堆積膜の特性は基板温度に強く依存しており、基板温度を上げると炭素の減少が見られた。また、窒素とアンモニアをプラズマ源に用いた場合は、基板温度の上昇に伴い窒素の増加の傾向が見られ、膜中の炭化水素が減少していく傾向が強く見られた。堆積膜は高抵抗を示したが、空気中の湿気に対し敏感であった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-10-20

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