n^+-i-p^+光導電層を用いた液晶空間光変調素子
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
液晶空間光変調素子の光導電層にa-Si:H薄膜をn^+-i-p^+ダイオード構造として用いた。これに交流駆動電圧を印加するとき、光導電層に自己バイアスが発生する。この自己バイアスは液晶層にも印加されるため、これを打ち消す外部補償電圧を印加する方法を提案し、シミュレーションによりその動作を確認した。この新しく提唱した外部補償バイアス駆動方式を適応することにより明暗動作範囲が拡大し、コントラストが大きくとれることが示され、更に応答時間も改善された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-06-24
著者
関連論文
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- この40年のディスプレイ技術の変遷と将来展望について(電子ディスプレイ,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製 (電子ディスプレイ)
- レーザアニールによるSrGa2S4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性 (電子ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法を用いて合成した近紫外線励起用赤色蛍光体La_2O_2S:Euの発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- プラズマ励起化学気相堆積法により作製した水酸基終端型アモルファスTiO_X膜の親水特性
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- a-Si/c-Si積層構造における光電流増倍現象
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- EID2000-11 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
- 均質沈殿法によって合成したY_2O_3:Eu赤色蛍光体のモフォロジー及び発光特性に対する焼結の効果
- 燃焼法による蛍光体の合成
- Y_2O_2S : Eu^赤色微粒子蛍光体の合成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- エネルギー弁別型フォトンカウンティング放射線ラインセンサ(X線カラースキャナ)
- Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 18-2 電子ビーム蒸着法により作製したZnO薄膜の発光特性
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- ガラス管内部形状の高精度加工 : ホロ・カソードジェット型プラズマ源の制作
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- 12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
- 5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
- a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
- Si : H/a-Si_C_x : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- 2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
- a-Si:H/a-Si_1-xC_x:H傾斜構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- 22-1 a-SiC : H/a-Si : Hヘテロ接合を用いた光電流増倍型フォトセンサーと新しいスイッチング素子
- アモルファスシリコン受光デバイスにおけるMIS接合 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- 2-7 アモルファスシリコン紫外線イメージセンサー
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の発光特性
- 青色発光CaS:Cu,F薄膜の発光特性
- 18-3 CaS : Cu, F薄膜の構造及び発光特性
- 青色発光CaS : Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
- 6)多元蒸着により作製したSrSe : Ce薄膜の構造および発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- 5)ZnS : Tm, F薄膜の電荷補償(情報ディスプレイ研究会)
- 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性 (電子ディスプレイ)
- 14)蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察(情報ディスプレイ研究会)
- 15)ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性 (情報ディスプレイ)
- 13)集積型EL素子の作製と発光特性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 8)SrSe : Ce/ZnS : Mn積層薄膜の白色ELとRGB化(〔情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)
- n^+-i-p^+光導電層を用いた液晶空間光変調素子
- 3)CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性(テレビジョン電子装置研究会)
- 多機能ディスプレイの動向 : 高臨場感ディスプレイとFED用新電子源について(年報ズームアップ)
- S15. 無機EL : フルカラー化に向けての研究動向
- 2)第3回蛍光体国際会議概要(情報ディスプレイ研究会)
- 7)Y_2O_3 : Eu/ZnS/Y_2O_3 : Eu構造の赤色EL(情報ディスプレイ研究会)
- Y_2.O_3:Eu/ZnS/Y_2.O_3:Eu構造の赤色EL : 情報ディスプレイ
- マグネトロンスパッタ法により作成したY_2O_2S : Eu薄膜(情報ディスプレイ研究会)(波形等化技術)
- マグネトロンスパッタ法により作成したY_2O_2S : Eu薄膜
- 17)多元蒸着法による青色光EL用CaGa_2S_4 : Ce薄膜の作製(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 16)多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性 : 供給比, 堆積速度, 熱処理依存性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 5)青色発光とSrGa_2S_4 : Ce薄膜のCe濃度と発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- 2)青色発光SrGa_2 S_4 : Ce薄膜の低速電子線発光におけるH_2S処理の効果([情報センシング研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- 13)Y_2O_2S : Eu^赤色微粒子蛍光体の合成(情報ディスプレイ研究会)
- 7)フッ化物薄膜EL素子の構造と発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- エタノールガス添加O_2RIE
- 6)PCEL素子のメモリー動作機構(情報ディスプレイ研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- レーザアニールによるSrGa_2S_4 : Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製