エタノールガス添加O_2RIE
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概要
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リモート水素プラズマを用いて、ヘキサメチルジシランとテトラキシトリメチルシリルシランの新しい材料を使ってa-SiC:H薄膜の堆積を行った。堆積プロセスの反応モデルが、他の2つの材料の比較によって提案された。提案された反応の形態において、三次元SiC網的結合はMe,Si=CH_2の薄膜を形成する反応性の高い前駆体によって形成されることが考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-20
著者
-
中西 洋一郎
静岡大学
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学 電子科学研究科
-
ウィクラマナヤカ スニル
静岡大学電子工学研究所
-
スニル ウィクラマナヤカ
静岡大学 電子工学研究所
-
アレキサンダー ブローベル
ポーランド科学アカデミー
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