有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成における組成制御
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
有機シリコン材料であるヘキサメチルジシラン(((CH_3) _3Si)_2、HMDS)からプラズマCVD法によりSiC薄膜を堆積した。カソードポテンシャルはRFパワーの増加とともに大きくなるとがわかった。 しかし、水素だけを流した場合プラスイオンがカソード側に流れるためカソードポテンシャルの増加を妨げることがわかった。HMDSにシランを加えることで吸収端をさらに長波長側にシフトすることができたが、薄膜が黄色に変色してしまうことがわかった。したがってさらなる検討が必要である。
- 1999-05-20
著者
関連論文
- 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
- Y_2O_2S:Eu^赤色微粒子蛍光体の合成
- エネルギー弁別型フォトンカウンティング放射線ラインセンサ(X線カラースキャナ)
- 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
- エネルギｰ弁別型X線カラｰスキャナｰ
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の発光特性
- 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4:Ce薄膜の作製
- Zn添加酸化物蛍光体の作製と低速電子線励起発光特性
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発
- 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- 画像表示
- 1-5 画像表示
- 8)NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- 14)蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察(情報ディスプレイ研究会)
- 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察
- 15)ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 希土類添加Y_2O_3薄膜の低速電子線励起発光
- 13)集積型EL素子の作製と発光特性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 集積型EL素子の作製と発光特性
- P-i-na-Si:H光導電層と画素分離されたアルミ反射鏡を持つ液晶空間光変調器
- 1)NEA冷陰極を用いたビジコン電子銃の基礎実験((テレビジョン電子装置研究会(第73回) 画像表示研究会(第30回))合同)
- リモートプラズマ法による有機シリコンからの窒化シリコン化合物薄膜の形成
- 1)NEA冷陰極の放出電子密度分布(テレビジョン電子装置研究会(第87回)画像表示研究会(第46回))
- SrSe:Ce/ZnS:Mn積層薄膜の白色ELとRGB化 : 情報入力,情報ディスプレイ
- 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
- ガンマ線計測と画像応用p-i-nCdTe室温動作核放射線検出器の作製
- n^+-i-p^+光導電層を用いた液晶空間光変調素子
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnSeの原子層エピタキシー
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnSeの原子層エピタキシー
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnSeの原子層エピタキシー
- 青色発光SrGa_2S_4:Ce薄膜のCe濃度と発光特性
- SrS:Cu, F薄膜EL素子の発光特性
- Cas:Cu, F薄膜の熱処理とEL特性
- PPVを配位子とした(π-アレーン)ルテニウム錯体の発光特性
- 有機シリコン材料を用いたリモートプラズマCVD法によるSiC薄膜の低温成長
- プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
- プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
- プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成における組成制御
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成における組成制御
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成における組成制御
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
- 有機シリコン材料を用いたリモートプラズマCVD法によるSiC薄膜の低温成長
- 有機シリコン材料を用いたリモートプラズマCVD法によるSiC薄膜の低温成長
- Si基板上のEL素子の集積化
- Y_2.O_3:Eu/ZnS/Y_2.O_3:Eu構造の赤色EL : 情報ディスプレイ
- マグネトロンスパッタ法により作成したY_2O_2S : Eu薄膜
- 7)PVF_2焦電型ビジコンの実験報告(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 1)シリコンを用いたNEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- 17)多元蒸着法による青色光EL用CaGa_2S_4 : Ce薄膜の作製(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 16)多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性 : 供給比, 堆積速度, 熱処理依存性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 多元蒸着法による青色発光EL用CaGa_2S_4:Ce薄膜の作製
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Ce薄膜の構造及び発光特性 : 供給比、堆積速度、熱処理依存性
- 5)青色発光とSrGa_2S_4 : Ce薄膜のCe濃度と発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- 2)青色発光SrGa_2 S_4 : Ce薄膜の低速電子線発光におけるH_2S処理の効果([情報センシング研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- 青色発光SrG_2S_4:Ce薄膜の低速電子線発光におけるH_2S処理の効果
- SrGa_2S_4:Ce薄膜の作製と電子線励起発光特性
- エタノールガス添加O_2RIE
- ガス封入形焦電どジコンにおけるカソードの寿命について
- 放射線センサの仕組み