有機シリコン材料を用いたリモートプラズマCVD法によるSiC薄膜の低温成長
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概要
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有機シリコン材料であるヘキサメチルジシラン(HMDS)を用いてリモートプラズマCVD法でSiC薄膜の堆積を試みた。得られた薄膜の組成はプラズマガスの種類により影響された。窒素と水素の混合ガスでは多量の窒素を含むものとなり、Arと水素混合ガスを用いて堆積した膜は中に多くの水素が含まれた。SiC:H膜であることが分かった。プラズマガスの混合比と堆積速度の関係から、水素ラジカルは気相反応を促進し、膜の形成過程において重要な役割を果たしていることが分かった。
- 1998-05-22
著者
-
中西 洋一郎
静岡大学大学院工学研究科電子工学
-
畑中 義式
静岡大学大学院電子科学研究科
-
青木 徹
静岡大学大学院電子科学研究科
-
徐 應瑜
静岡大学大学院電子科学研究科
-
村松 隆広
静岡大学電子工学研究所
-
村松 隆広
静岡大学 電子工学研究所
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