リモートプラズマCVD法によるTDMASからのSiN薄膜の堆積
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概要
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有機シリコン原料のトリスジメチルアミノシラン((SiH(N(CH_3)_2)_3、TDMAS)を用い、リモートプラズマCVD法によりSiN薄膜を堆積した。基板温度が低い場合、炭素を多く含んだ薄膜が得られ、400℃以上に加熱することによって、薄膜中には窒素が多く取り込まれるようになった。堆積させた薄膜の屈折率は1.4〜1.7の範囲になった。このことより、堆積膜はSiON膜であると思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学大学院電子科学研究科
-
Wrobe A.
Polish Academy Of Sciences Center Of Molecular And Macromolecular Sudies
-
荻島 拓哉
静岡大学電子工学研究所
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