有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
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概要
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有機シリコン材料であるヘキサメチルジシラン(((CH_3)_3Si)_2、HMDS)からプラズマCVD法およびリモートプラズマCVD法よりSiC薄膜を堆積した。基板へのSiC薄膜の接着性を向上させるために基板の表面エネルギーを高めるためには酸素プラズマを照射することが最も良いことがわかった。RFパワーを50W、チャンバー圧力を1.0Torr、基板温度を室温にすることで薄膜を高速に堆積することができた。UVをカットし、目的とするSiC薄膜を堆積することが出来た。
- 1999-01-21
著者
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
徐 應瑜
静岡大学 電子科学研究科
-
村松 隆広
静岡大学電子工学研究所
-
徐 應瑜
静岡大学電子科学研究科
-
村松 隆広
静岡大学 電子工学研究所
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