プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成

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概要

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近年、プラスチック材料が多く用いられるようになってきている。しかし、プラスチックは、紫外線によって劣化し、また機械的強度が低い。よって、我々はプラスチック材料の表面にSiC薄膜を形成し、保護することを試みた。SiC薄膜の原料として安全性の高いヘキサメチルジシラン(HMDS, Si_2(CH_3)_6)を使用し、カソード型プラズマCVD法により形成した。カソードを金属メッシュで覆うことにより、堆積薄膜の中の炭化水素成分の減少が見られた。また、SiC薄膜の堆積により、プラスチックの耐UV性が向上した。
2000-05-12

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