エキシマレーザードーピングによるZnO pn接合形成(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)

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概要

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ジエチルジンク(DEZn)とO_2ガスを原料とするプラズマCVDによりr面サファイア基板にa面ZnO薄膜を成長した。XRD測定を行ったところ、ZnO(110)のピークの半値幅は約1000秒であった。このZnO薄膜および熱酸化によってSi基板上に作製したZnO薄膜に、Sbをドーパント原料としたエキシマレーザードーピングを行い、p形ZnO層の形成を試みた。さらに、Sbドーピング層をp側とし、ドーピングを行っていない領域をn側としたpn接合を形成し、電流電圧測定を行った。その結果、熱酸化によって作製したZnO薄膜を用いた場合p形ZnO層が得られ、pn接合を形成したところ整流性が得られた。
2002-01-24

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