多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Ce薄膜の構造及び発光特性 : 供給比、堆積速度、熱処理依存性
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概要
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多元蒸着法を用いて、青色EL用蛍光体SrGa_2S_4:Ce薄膜の作製を試みた。蒸発源にはSr金属、Ga_2S_3、CeCl_3を使用した。蒸発源Ga_2S_3は蒸発の際にGaSとS_2に分解してから基板に供給されいることが分かった。作製した薄膜の構造は基板温度、各蒸発源から基板への供給量及び供給比に依存し、SrGa_2S_4以外にもGaS及びSrSが形成される。薄膜堆積後のH_2S雰囲気中での熱処理は、SrGa_2S_4:Ce薄膜の結晶性及び発光特性の改善に有効であることが分かった。基板温度450℃、供給比Ga_2S_3/Sr=100で薄膜堆積後、H_2S雰囲気中で800℃、3時間の熱処理によリPL強度は約100倍向上し、またCIE色度点 (0.12, 0.09) の青色PLが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-23
著者
-
小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
-
畑中 義式
静岡大学 電子科学研究科
-
青木 徹
静岡大学 電子工学研究所
-
中野 文樹
静岡大学 電子工学研究所・工学部
-
上倉 直喜
静岡大学 電子工学研究所・工学部
-
中野 文樹
静岡大学 電子工学研究所
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