プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
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概要
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近年、プラスチック材料が多く用いられるようになってきている。しかし、プラスチックは、紫外線によって劣化し、また機械的強度が低い。よって、我々はプラスチック材料の表面にSiC薄膜を形成し、保護することを試みた。SiC薄膜の原料として安全性の高いヘキサメチルジシラン(HMDS, Si_2(CH_3)_6)を使用し、カソード型プラズマCVD法により形成した。カソードを金属メッシュで覆うことにより、堆積薄膜の中の炭化水素成分の減少が見られた。また、SiC薄膜の堆積により、プラスチックの耐UV性が向上した。
- 2000-05-12
著者
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
安間 英任
(株)小糸製作所
-
徐 應瑜
静岡大学 電子科学研究科
-
村松 隆広
静岡大学電子工学研究所
-
野中 秀紀
静岡大学電子工学研究所
-
徐 應瑜
静岡大学電子科学研究科
-
村松 隆広
静岡大学 電子工学研究所
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