リモートプラズマCVD法による有機ゲルマニウムからのゲルマニウム結晶性薄膜の形成
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概要
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リモートプラズマCVDを用いて有機ゲルマニウム原料であるテトラエチルゲルマニウム(TEGe)からゲルマニウム薄膜を堆積した. プラズマガスに水素, アルゴン, 窒素のいずれのガスを用いてもプラズマのアフターグロー中にTEGeの導入口を入れた状態でゲルマニウム薄膜が堆積した. 水素, アルゴンをを用いた場合には炭素をほぼ含まないゲルマニウム膜が得られ, 窒素を用いた場合には窒素, 炭素を含む膜となった. また, 基板温度が300℃以上の場合には結晶性のゲルマニウム薄膜が得られた. 結晶性薄膜形成には気相中でのプレカーサー形成が必要であると考えられる.
- 1996-11-01
著者
-
中西 洋一郎
静岡大学大学院工学研究科電子工学
-
畑中 義式
静岡大学大学院電子科学研究科
-
青木 徹
静岡大学大学院電子科学研究科
-
荻島 拓哉
静岡大学電子工学研究所
-
荻島 拓哉
静岡大学大学院電子科学研究科, 電子工学研究所
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