中西 洋一郎 | 静大電子研

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概要

• 同名の論文著者
• 静大電子研の論文著者

関連著者

• 中西 洋一郎

  静大電子研

• 小南 裕子

  静岡大学電子工学研究所

• 中西 洋一郎

  静岡大学電子工学研究所

• 原 和彦

  静岡大学

• Nakanishi Yoshiki

  Department Of Materials Science And Engineering Iwate University

• 原 和彦

  静岡大学 電子工学研究所

• 原 和彦

  静岡大学電子工学研究所

• 中西 洋一郎

  静岡大

• 小南 裕子

  静岡大学

• 中西 洋一郎

  静岡大学

• Nakanishi Y

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Nakanishi Yoichiro

  Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ

• 清野 俊明

  日本製鋼所

• 山崎 貴久

  静岡大学

• 畑中 義式

  愛知工科大学

• 畑中 義式

  浜松ホトニクスKK静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大

• 中西 洋一郎

  静岡大学 電子科学研究科

• 佐野 友治

  静岡大学 電子工学研究所

• 小南 裕子

  静岡大学 電子工学研究所

• 山下 慎二

  静岡大学電子工学研究所

• 下村 康夫

  (株)三菱化学科学技術研究センター

• 下村 康夫

  株式会社三菱化学科学技術研究センター

• 吉野 正彦

  株式会社三菱化学科学技術研究センター

• 佐野 友治

  静岡大学電子工学研究所

• 名倉 利樹

  静岡大学電子工学研究所

• 山崎 貴久

  静岡大学電子工学研究所

• 菰田 浩寛

  静岡大学電子工学研究所

• 北浦 守

  山形大学理学部

• 井口 拓

  静岡大学電子工学研究所

• 大西 彰正

  山形大学理学部

• 山内 学

  静岡大学

• 寺田 享右

  静岡大学電子工学研究所

• 大西 彰正

  山形大理

• 劉 〓

  静岡大学電子工学研究所

• 小林 敬祥

  静岡大学電子工学研究所

• 河西 康雅

  静岡大学電子工学研究所

• 大西 彰正

  山形大 理

• 寺田 享右

  静岡大学 電子工学研究所

• 大西 彰正

  山形大物

• 北浦 守

  山形大物

• 中本 正幸

  静岡大学電子工学研究所

• 立木 昌

  金材技研

• 名越 正泰

  NKK

• 庄野 安彦

  東北大金研

• 立木 昌

  東北大金研

• 名越 正泰

  Nkk 基盤技術研究所

• 安田 安生

  静岡大学電子工学研究所

• 福田 安生

  静岡大学電子科学研究科

• 庄野 安彦

  東北大学金属材料研究所

• 鈴木 輝男

  NKK

• 荻田 正己

  静大工短

• 立木 昌

  東大新領域:jst-crest

• 福田 安生

  日本鋼管(株)中央研究所

• 寺島 一宏

  静大電子研:(現)nkk

• 小林 敬祥

  静岡大 電子工研

• 河西 康雅

  静岡大 電子工研

• 内田 龍男

  東北大学大学院工学研究科

• 奥村 治彦

  (株)東芝研究開発センター

• 金子 節夫

  NEC液晶テクノロジー株式会社

• 下平 美文

  静岡大学創造科学技術大学院

• 内池 平樹

  佐賀大学

• 服部 励治

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 山崎 映一

  元日立製作所

• 新井 裕子

  (株)日本製鋼所

• 清野 俊明

  (株)日本製鋼所

• 下村 康夫

  三菱化学科学技術研

• 服部 励治

  九州大学大学院システム情報科学府

• 福田 安生

  静大電研

• 内池 平樹

  広島大学工学部

• 福田 安生

  静大電子研

• 寺島 一宏

  静大電子研

• 寺島 一宏

  静大電研

• 中西 洋一郎

  静大電研

• 内田 龍男

  東北大学工学研究科

• 立岡 浩一

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部

• 服部 励治

  九州大学産学連携センター プロジェクト部門

• 立岡 浩一

  静岡大学工学部

• 山崎 貴久

  静岡大学 電子工学研究所

• 下平 美文

  静岡大学電子科学研究科

• 文 宗鉉

  静岡大学電子工学研究所

• 新井 裕子

  静岡大学 電子工学研究所

• 吉野 正彦

  三菱化学科学技術研究センター

• 奥村 治彦

  (株)東芝 材料・デバイス研究所

• 下平 美文

  静岡大

• 纐纈 直行

  静岡大学 電子工学研究所

• 桑原 弘

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部

• 立岡 浩一

  静大工

• 桑原 弘

  静大工

• 牧野 吉孝

  静大工

• 海野 晶裕

  静大工

• 内田 龍男

  東北大学大学院

• 平木 博久

  静岡大学電子工学研究所:ダイヤライトジャパン株式会社

• 白鳥 硬次

  静岡大学電子工学研究所

• 文 宗絃

  静岡大学電子工学研究所

• 羽場 方紀

  ダイヤライトジャパン株式会社

• 服部 励冶

  九州大学大学院システム情報科学府

• 大木 佑哉

  静岡大学電子工学研究所

• 森 達宏

  静岡大学電子工学研究所

• 金森 一雄

  静大電子研

• 高木 克己

  静大電子研

• 内田 龍男

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 奥村 治彦

  株式会社東芝研究開発センター

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著作論文

• 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• この40年のディスプレイ技術の変遷と将来展望について(電子ディスプレイ,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
• 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
• クエン酸ゲル法を用いて合成した近紫外線励起用赤色蛍光体La_2O_2S:Euの発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
• AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
• クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 酸素量を変えたBi_2Sr_2CaCu_2O_y超伝導体の光電子分光
• 2p-TC-1 Bi系超伝導体における真空加熱処理効果
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
• 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
• 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
• 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析
• クエン酸ゲル法によるLa2O2S:Euの合成と発光特性 (情報ディスプレイ)
• 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製
• ゾル-ゲル法によるZnMgO/ZnO構造粒子の作製と発光特性の評価
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
• 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• ホットウォール法によるCdTe,ZnTeの原子層成長 : 気相成長I
• 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性
• フィールドエミッションランプ用緑色蛍光体の開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性 (電子ディスプレイ)
• クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御
• クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性
• 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製
• 固相合成ZnAl_2O_4:Mn蛍光体における発光特性の作製条件依存性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• 硫化亜鉛蒸着膜の構造に対する基板温度の影響 : 薄膜
• 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果
• 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa2S4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析 (情報ディスプレイ)
• C-9-6 ナノ構造埋込蛍光体粒子の提案と気相法による作製の試み(C-9.電子ディスプレイ,一般講演)
• 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
• 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
• 白色LED照明の用途に向けた蛍光体
• 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
• 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
• ディスプレイ用蛍光体の現状と課題
• C-9-6 紫外光源用酸化物蛍光体の発光特性(C-9.電子ディスプレイ,一般セッション)
• 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
• 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製

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