原 和彦 | 静岡大学
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概要
関連著者
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原 和彦
静岡大学
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小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静大電子研
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Nakanishi Yoshiki
Department Of Materials Science And Engineering Iwate University
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原 和彦
静岡大学 電子工学研究所
-
原 和彦
静岡大学電子工学研究所
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小南 裕子
静岡大学
-
中西 洋一郎
静岡大学
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中西 洋一郎
静岡大
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Nakanishi Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Nakanishi Yoichiro
Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ
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清野 俊明
日本製鋼所
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畑中 義式
愛知工科大学
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山崎 貴久
静岡大学
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畑中 義式
浜松ホトニクスKK静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大
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佐野 友治
静岡大学 電子工学研究所
-
山内 学
静岡大学
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小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
山崎 貴久
静岡大学電子工学研究所
-
下村 康夫
(株)三菱化学科学技術研究センター
-
山下 慎二
静岡大学電子工学研究所
-
下村 康夫
株式会社三菱化学科学技術研究センター
-
吉野 正彦
株式会社三菱化学科学技術研究センター
-
中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
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佐野 友治
静岡大学電子工学研究所
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名倉 利樹
静岡大学電子工学研究所
-
菰田 浩寛
静岡大学電子工学研究所
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寺田 享右
静岡大学電子工学研究所
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新井 裕子
(株)日本製鋼所
-
清野 俊明
(株)日本製鋼所
-
大西 彰正
山形大理
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劉 〓
静岡大学電子工学研究所
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小林 敬祥
静岡大学電子工学研究所
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河西 康雅
静岡大学電子工学研究所
-
大西 彰正
山形大 理
-
寺田 享右
静岡大学 電子工学研究所
-
新井 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
大西 彰正
山形大物
-
北浦 守
山形大物
-
北浦 守
山形大学理学部
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井口 拓
静岡大学電子工学研究所
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大西 彰正
山形大学理学部
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纐纈 直行
静岡大学 電子工学研究所
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小林 敬祥
静岡大 電子工研
-
河西 康雅
静岡大 電子工研
-
下村 康夫
三菱化学科学技術研
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山崎 貴久
静岡大学 電子工学研究所
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原川 崇
静岡大学電子工学研究所
-
吉野 正彦
三菱化学科学技術研究センター
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纐纈 直行
静岡大学電子工学研究所
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加藤 泰樹
静岡大学電子工学研究所
-
大木 佑哉
静岡大学電子工学研究所
-
森 達宏
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製 (電子ディスプレイ)
- レーザアニールによるSrGa2S4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性 (電子ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法を用いて合成した近紫外線励起用赤色蛍光体La_2O_2S:Euの発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製
- ゾル-ゲル法によるZnMgO/ZnO構造粒子の作製と発光特性の評価
- ゾル-ゲル法によるZnMgO/ZnO構造粒子の作製と発光特性の評価(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製
- 固相合成ZnAl_2O_4:Mn蛍光体における発光特性の作製条件依存性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa2S4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析 (情報ディスプレイ)
- C-9-6 ナノ構造埋込蛍光体粒子の提案と気相法による作製の試み(C-9.電子ディスプレイ,一般講演)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- レーザアニールによるSrGa_2S_4 : Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- C-9-6 紫外光源用酸化物蛍光体の発光特性(C-9.電子ディスプレイ,一般セッション)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製