110 kW級半導体レーザ発振機の開発と溶接特性(第1報) : kW級半導体レーザ発振機の開発(ファイバーレーザ,平成20年度春季全国大会)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人溶接学会の論文
- 2008-03-17
著者
-
菅 博文
浜松ホトニクス
-
福井 清之
住友金属工業(株)
-
宮島 博文
浜松ホトニクス(株)
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)中央研究所
-
菅 博文
浜松ホトニクス株式会社中央研究所
-
泰山 正則
住友金属工業(株)
-
佐藤 勝彦
浜松ホトニクス(株)
-
渡邉 正樹
浜松ホトニクス(株)
-
鈴木 智隆
浜松ホトニクス(株)
-
宮島 博文
浜松ホトニクス株式会社 中央研究所
-
菅 博文
浜松ホトニクス(株)開発本部
-
泰山 正則
住友金属工業 (株)
-
佐藤 勝彦
浜松ホトニクス (株) 中央研究所
関連論文
- Wクラス高出力量子カスケードレーザの開発(第7回赤外放射の応用関連学会年会)
- 21pTJ-9 高速点火核融合実験用散乱中性子計測器の開発(21pTJ 核融合プラズマ(慣性),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- レーザー
- 赤・近赤外パワー半導体レーザの放射線耐性
- 赤・近赤外パワー半導体レーザのプロトン照射効果
- 高出力レーザー用ファラデー材料 : 低温冷却TGGセラミックスの磁気光学定数及び熱伝導率の測定
- 低温冷却TGGセラミックを用いた大出力レーザー用ファラデー素子の開発
- 広帯域光源の開発に向けたBiドープシリカファイバの分光特性
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 27pYL-8 レーザー核融合燃料面密度計測のための高速応答リチウム6シンチレーター(核融合プラズマ(慣性)(輸送/不安定性/他),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- C-4-14 高出力量子カスケードレーザの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 多重上位準位を有する量子カスケードレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 間接注入励起を用いた量子カスケードレーザ : 注入層内キャリア数の動的抑圧効果(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-15 SPC緩和構造を用いた4〜10μm帯量子カスケードレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 中赤外量子カスケードレーザを用いた分光計測
- DFB量子カスケードレーザーとその分光応用
- 短波長歪系量子カスケードレーザの開発とその分光応用
- 量子カスケードレーザーの分光応用 : メタンおよび一酸化二窒素の超精密赤外分光
- シングルモードDFB量子カスケードレーザの分光分析への応用(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 10 J x 10 Hz LD励起スラブ型ガラスレーザーシステムの開発
- LD励起10J×10Hz Nd : ガラススラブレーザーの開発
- LD励起10Jx10Hz Nd : ガラススラブレーザーの動作特性
- 半導体レーザー
- CLBO結晶を用いた8.5Jグリーン光の高効率発生と全固体100TW級レーザーへの展開
- AlGaAs系半導体レーザのプロトン照射損傷
- LD光源の高出力化の現状と将来動向
- レーザー核融合炉用ドライバーHALNA開発のための大面積励起用200-kW半導体レーザーモジュール
- 単一光子ターンスタイル (回転ドア) 素子
- 核融合炉用スケールダウンレーザー(10J・10Hz級)の開発研究
- 大出力LD励起固体レーザードライバーHALNAによる2.4GWパルス, 217W平均出力動作
- 111 kW級半導体レーザ発振機の開発と溶接特性(第2報) : 自動車用鋼板のレーザ溶接特性(ファイバーレーザ,平成20年度春季全国大会)
- 110 kW級半導体レーザ発振機の開発と溶接特性(第1報) : kW級半導体レーザ発振機の開発(ファイバーレーザ,平成20年度春季全国大会)
- 高出力LD励起ジグザグスラブレーザーの開発
- 28p-ND-2 固体レーザ励起用高出力807nm半導体レーザアレイ(II)
- 高効率, 熱複屈折補償型8パス構成LD励起Nd : YAGスラブ増幅器の開発
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ
- 高出力半導体レーザーの開発
- レーザー励起用大出力LDアレイとその励起特性
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力LD励起全固体偏光結合共振器レーザーの開発
- 噴流水冷ヒートシンクによるCWLDバーの大出力動作
- 核融合炉用LD励起ガラスレーザードライバーHALNAの開発研究
- 半導体レーザー励起固体レーザーによる核融合炉用ドライバー(HALNA)の開発研究
- 大出力パルスLD励起スラブレーザーの繰返し動作特性
- 核融合炉用高平均出力レーザードライバー(HALNA)の開発研究
- 高出力LD励起ジグザグスラブレーザーにおける光学要素の開発
- AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力半導体レーザーアレイ励起Csレーザーの研究
- 多重上位準位を有する量子カスケードレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-33 高出力量子カスケードレーザの開発II(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ボリュームブラッグ格子を用いた高輝度狭帯域外部共振器半導体レーザー
- CS-3-7 量子カスケードレーザの環境計測への応用(CS-3.環境と光技術,シンポジウムセッション)
- CS-3-7 量子カスケードレーザの環境計測への応用(CS-3.環境と光技術,シンポジウムセッション)
- シリカガラスを用いた高平均出力レーザーの開発
- 4)近赤外光電子増倍管とその応用(情報入力研究会)
- 近赤外光電子増倍管とその応用
- 近赤外光電子増倍管とSiフォトルミネッセンス測定への応用
- レーザ核融合炉用ドライバ(HALNA : DPSSL)の開発
- LD励起Yb:YAGディスクレーザーの開発
- 小型LD励起Yb:YAGディスクレーザー
- LD励起1064nm Nd : YAGジグザグスラブレーザー増幅器のビーム品質測定
- LD励起8パス構成1064-nmNd : YAGジグザグスラブレーザー増幅器の高平均出力化
- 固体レーザー励起用高出力LDアレイ
- 半導体レーザー励起高効率Nd: YAGレーザー増幅器
- 高出力半導体レーザとその応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザー
- 高出力・高効率レーザーダイオード
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザー
- 高出力Yb:YAGセラミックスラブレーザーの開発
- InAs基板上に成長させたGaInAsSbのキャリア移動度の評価法
- 高品質GaInAsSb/InAsの液相成長
- 波長2.94μmで発振するLD励起Er:YAGレーザーの開発と600mJ(世界最高)出力の達成
- 高出力半導体レーザーの研究開発
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザー
- 高輝度半導体レーザーアレー
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ
- 硫黄不活性化処理による室温動作InAsPSb/InAs中赤外光検出器の感度向上
- 高出力半導体レーザおよびファイバーディスクレーザの開発とその応用(高出力・高品質レーザの開発とその応用,平成20年度春季全国大会)
- 超高出力半導体レーザとエネルギー光源への応用
- 1kW出力ファイバーレーザー
- 高出力ファイバーレーザーの研究開発 (III)
- 高出力ファイバーレーザーの研究開発(II)
- キロワット級ファイバレーザー技術
- 高出力ファイバーレーザーの研究開発
- 固体レ-ザ-励起用高出力半導体レ-ザ-ダイオ-ド(二次元高出力半導体レ-ザ-アレイの開発)
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ : 二次元高出力半導体レーザーアレイの開発
- 固体レーザー励起用高出力半導体レーザーアレイ
- 室温動作高感度InAs/InAsPSb中赤外光検出器
- 固体レーザー励起用高機能半導体レーザーの開発
- LD励起受動Qスイッチマイクロチップレーザーの高輝度化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- LD励起受動QスイッチNd : YAGマイクロチップレーザーの開発 : 尖頭値および安定性の改善
- LD励起受動QスイッチNd : YAGマイクロチップレーザーの開発