バッファー層による酸化物ヘテロエピタキシーの格子不整合エンジニアリング(<小特集>Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
バッファー層というのは便利なものである.基板と化学的に異質な材料を薄膜成長するときに表面の濡れ性を制御する「のり」の役目を果たすし,基板と格子不整合を有する薄膜を成長する前に導入することで不整合を緩和する役目も果たす.本稿では後者について,酸化物のヘテロエピタキシーを舞台に,厳密にバッファー層の格子工学を検討した結果を紹介する.まず,格子不整合による薄膜中の歪みと界面に導入されるミスフィット転位について平衡論と速度論の観点から説明する.応用の観点からも重要な材料として,強誘電体であるBaTiO_3と紫外発光材料であるZnOのヘテロエピタキシャル薄膜をとりあげ,格子歪みとその緩和メカニズムを詳しく調べた.それらの知見をもとに,わずかな格子不整合を完全に歪みとして薄膜に取り込んで面内の格子が基板と完全にそろった「コヒーレント界面」と,格子不整合を界面のミスフィット転位で全て吐き出した「完全緩和界面」を作り分けることに成功した.双方の間に存在する活性化エネルギーの山を越える新しい手法も紹介する.この完全緩和薄膜をバッファー層として利用すれば,薄膜の歪み制御による格子工学に新しい可能性が広がる.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-06-30
著者
-
リプマー ミック
東京大学物性研究所
-
大友 明
東工大院工:東北大金研
-
大友 明
東北大学金属材料研究所
-
塚崎 敦
東北大金研
-
大西 剛
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
川崎 雅司
東北大学金属材料研究所
-
大西 剛
米国ローレンスバークレー国立研究所
-
大西 剛
東大物性研
-
塚崎 敦
東北大学金属材料研究所
-
寺井 恒太
日本原子力研究所放射光科学研究センター
-
大西 剛
東京大学物性研究所
-
大西 剛
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
関連論文
- 21aHL-10 ZnO量子井戸中励起子状態の井戸幅依存性(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 21aHL-4 デラフォサイト型CuTMO_2薄膜の励起子物性(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 28aXB-10 ZnO単一ヘテロ構造における磁気発光特性(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- 28pVA-6 ZnO変調ドープ量子井戸における励起子発光・反射の偏光特性(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 28pXB-10 人工超格子[(LaMnO_3)_m(SrMnO_3)_m]_n におけるMnの電荷状態の研究(Mn系 スピン電荷軌道結合)(領域8)
- 29a-ZG-7 酸化亜鉛ナノ結晶薄膜の構築と紫外エキシトンレーザー発振
- 酸化物エレクトロニクス
- STEMによるLaドープSrTiO_3人工超格子薄膜の原子構造解析
- 7p-J-17 透過型電子顕微鏡を用いたZnO成長薄膜のカソードルミネッセンス
- 金属酸化物超平坦表面のナノ構造評価と応用
- ZnOエピタキシャル薄膜のc軸極性の同定 (特集 多様な電子機能をもつ酸化亜鉛の新展開)
- ポリシランの電子状態と分子形態
- 23aK-2 希薄磁性酸化物半導体Zn_Mn_xO薄膜の磁気特性
- 透明希薄磁性酸化物 : コンビナトリアル技術による探索
- 27aYT-9 ドナーまたはアクセプター添加ZnO薄膜における電気的・光学的性質(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pXC-13 ドナードープ n 型 ZnO 薄膜における励起子フォノン複合体吸収帯の多体吸収端特異性(励起子・ポラリトン, 領域 5)
- 30aPS-29 ZnO/(Mg,Zn)O多重量子井戸における励起子発光の温度消光(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 19pYD-12 In-situ角度分解光電子分光によるLa_Sr_xMnO_3薄膜のバンド構造 : 組成依存性(領域5,領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 19pYD-10 In-situ光電子分光によるSrRuO_3薄膜電子状態の膜厚依存性(領域5,領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 27pWE-9 SrTiO_3/La_Sr_MnO_3ヘテロ界面のin-situ放射光光電子分光(Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 酸化亜鉛のc面に成長させた窒化インヂウム薄膜の結晶性と極性
- 28aXB-11 ZnO人工2次元構造中の励起子状態(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- 28pVA-4 ZnO/ZnMgO単一量子井戸中励起子の高密度励起効果(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 22pYH-11 ZnO/ZnMgO単一量子井戸中励起子発光の高密度励起効果(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
- 同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-
- レーザーMBE法による酸化物研究の新展開
- ZnO非線形光学効果光導波路(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 23pPSA-2 MgO/Si(001)及びSrTiO_3/LaAlO_3における界面の反射率差分光法を用いた研究(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 酸化亜鉛系薄膜トランジスタ (特集 次世代FPD駆動用TFT)
- 24aZA-9 局所電界効果によるNbドープSrTiO_3二次元超伝導の物性制御(24aZA 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aPS-80 モット絶縁体LaTiO_3-バンド絶縁体SrTiO_3界面の光電子分光II(領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aYH-6 NbドープSrTiO_3超伝導薄膜における局所電界効果((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 酸化亜鉛電界効果デバイス
- 26pYC-4 格子整合基板上に成膜したZnO薄膜における光学スペクトルの温度変化
- 28pYF-9 ZnO : Al 薄膜の光学的性質 : 室温多体吸収端特異性の観測?
- コンビナトリアル酸化亜鉛超格子研究
- 29a-ZG-8 ZnO半導体薄膜構造における励起子共鳴四光波混合スペクトル
- 22pWF-8 電気2重層ゲートによるSrTIO_3の超伝導(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- バッファー層による酸化物ヘテロエピタキシーの格子不整合エンジニアリング(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- 酸化物界面に閉じ込めた二次元電子の超伝導と量子ホール効果
- 酸化亜鉛系分極不整合界面の2次元伝導と導電性高分子を用いた伝導性制御
- 25aWE-8 モット絶縁体LaTiO_3-バンド絶縁体SrTiO_3界面の光電子分光(遷移金属酸化物(ペロブスカイト),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12pRC-3 La_Sr_xMnO_3 薄膜の In-situ 角度分解光電子分光; 組成依存性(Mn 系_2 : スピン-電荷-軌道結合, 領域 8)
- 12pRC-1 膜厚をデジタル制御した La_Sr_MnO_3 薄膜の in-situ 光電子分光(Mn 系_2 : スピン-電荷-軌道結合, 領域 8)
- 12aXC-5 Laser MBE 法で作製した La_Sr_xMnO_3 薄膜の in-situ 共鳴光電子分光; 温度・組成依存性(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
- 12aXC-4 Laser-MBE 法で作成した La_Sr_MnO_3 薄膜のバンド構造・フェルミ面; in-situ 角度分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
- 27pXC-5 La_Sr_yFeO_3/La_Sr_xMnO_3ヘテロ界面における電荷移動層の形成 : in-situ共鳴光電子分光(遷移金属酸化物光キャリア注入・分光))(領域8)
- 27pXC-4 Laser-MBE法で作製したLa_Sr_xMnO_3薄膜のin-situ角度分解光電子分光(遷移金属酸化物光キャリア注入・分光))(領域8)
- 21aWB-12 LaserMBE 法で作製した La_Sr_MnO_3 薄膜の in-situ光電子分光 : 温度依存性
- 22aPS-97 レーザー MBE 法による La_Sr_xFeO_3 エピタキシャル薄膜の作製とその物性評価
- 28pWH-7 La_Sr_MnO_3 薄膜上に成長した La_Sr_FeO_3 超薄膜の in-situ 共鳴光電子分光
- 酸化物薄膜成長中のRHEED強度振動
- 21pQC-2 電気二重層トランジスタの低温挙動(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pQC-2 電気二重層トランジスタの低温挙動(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- ZnOヘテロ接合の表面・界面制御と量子伝導
- 21pRJ-5 電気二重層ゲートFETによりZnO単結晶表面に高濃度誘起されたキャリアのホール効果測定(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- ZnO/MgZnO界面における量子ホール効果
- 21世紀を照らす光--酸化亜鉛発光ダイオード (2005年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (凝縮系の物理)
- ZnO青色発光ダイオード
- 新技術・新材料 酸化亜鉛発光ダイオード--結晶品質の向上がもたらした古い材料の新たな応用
- 21pQC-3 電気二重層ゲートによるSrTiO_3の表面量子化準位(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pQC-3 電気二重層ゲートによるSrTiO_3の表面量子化準位(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- SrTiO_3ヘテロ構造の高移動度電子輸送
- 電子を取り巻く環境を変えてみると……1格子層の結晶成長から生まれる新しい物理
- 酸化物界面に閉じ込めた二次元電子の超伝導と量子ホール効果
- 7p-J-16 レーザーMBE製作ZnO薄膜の室温励起子レーザー発振
- 酸化物半導体スピントロニクス
- 25aWE-6 FET構造を用いたLa_Sr_FcO_3の電荷注入効果(遷移金属酸化物(ペロブスカイト),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aHC-13 EuO薄膜における磁気光学分光(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
- 25aHG-2 MgZnO/ZnOヘテロ構造における高移動度希薄二次元電子の量子ホール状態(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12pRB-1 (SrTiO_3)_(LaAlO_3)_x 混晶薄膜の結晶構造および電気特性(その他の遷移金属化合物, 領域 8)
- 27aZP-10 エピタキシャルペロブスカイト酸化物電界効果トランジスタの作製(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-10 エピタキシャルペロブスカイト酸化物電界効果トランジスタの作製(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 21pTP-2 ペロブスカイト酸化物電荷不整合界面の原子層制御と電子物性
- 酸化亜鉛紫外レーザー (特集 多様な電子機能をもつ酸化亜鉛の新展開)
- バンド絶縁体-モット絶縁体界面の電荷変調と金属伝導
- バンド絶縁体-モット絶縁体界面の電荷変調と金属伝導
- 24aTC-8 PLD法によるBi_2Se_3単結晶薄膜の作製とキャリヤー制御(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-56 EuO薄膜における磁気光学分光II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pTR-1 MgZnO/ZnOヘテロ構造における高移動度希薄二次元電子の量子ホール状態(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- クロ-ズアップ:酸化物で紫外線レ-ザ-を創る
- ZnOナノ結晶からの室温励起子レーザー発振
- ZnOナノ結晶からの室温励起子レ-ザ-発振
- Two-dimensional Transport at Polar-heterointerface Based on ZnO and Electric-field Control with a Conducting Polymer
- 28aDD-7 (Bi_Sb_x)_2Te_3/InP界面ディラック状態における共鳴トンネルスペクトロスコピー(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pEA-7 B20型MnFe_xSi薄膜におけるスキルミオン形成とトポロジカルホール効果(マルチフェロ1,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pDD-12 ZnO系二次元電子における偶数分母分数状態の観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aEA-8 Eu_2Ir_2O_7薄膜における磁気八極子秩序と磁気輸送特性(Ir化合物,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 9. ZnOヘテロ構造を用いた光・電子素子応用への展望(酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)