9. ZnOヘテロ構造を用いた光・電子素子応用への展望(<小特集>酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)

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概要

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• 近年,ZnO系薄膜の結晶品質は市販のZnO単結晶基板と分子線エピタキシー法の適用によって飛躍的に向上している.本稿では,高品質ZnO系薄膜積層構造の作製に関する技術開発とともに,光電変換素子や電界効果素子への活用を目指した基本素子の動作特性について紹介する.また,ZnOヘテロ構造の電子系移動度は,Si系やAlGaAs/GaAs電界効果素子に匹敵する水準となっており,界面の高品質さを裏付けている.これまでに得られた基礎動作特性を紹介するとともに現状の課題についても述べる.

• 2014-03-01

著者

• 塚崎 敦

  東北大学金属材料研究所

• 小塚 裕介

  東大工

• 川崎 雅司

  東京大学大学院工学系研究科

• 小塚 裕介

  東大新領域:東大院工

• 川崎 雅司

  東京大学大学院工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター

• 小塚 裕介

  東京大学大学院工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター

• 塚崎 敦

  東北大学金属材料研究所低温物理学研究部門

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