ZnOヘテロ接合の表面・界面制御と量子伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 2008-01-10
著者
-
大友 明
東工大院工:東北大金研
-
大友 明
東北大学金属材料研究所
-
塚崎 敦
東北大金研
-
塚崎 敦
東北大学金属材料研究所
-
川崎 雅司
科学技術振興機構CREST
-
塚崎 敦
東京大学大学院工学系研究科
関連論文
- 21aHL-10 ZnO量子井戸中励起子状態の井戸幅依存性(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 21aHL-4 デラフォサイト型CuTMO_2薄膜の励起子物性(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 28aXB-10 ZnO単一ヘテロ構造における磁気発光特性(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- 28pVA-6 ZnO変調ドープ量子井戸における励起子発光・反射の偏光特性(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 28pXB-10 人工超格子[(LaMnO_3)_m(SrMnO_3)_m]_n におけるMnの電荷状態の研究(Mn系 スピン電荷軌道結合)(領域8)
- 29a-ZG-7 酸化亜鉛ナノ結晶薄膜の構築と紫外エキシトンレーザー発振
- STEMによるLaドープSrTiO_3人工超格子薄膜の原子構造解析
- 7p-J-17 透過型電子顕微鏡を用いたZnO成長薄膜のカソードルミネッセンス
- 23aK-2 希薄磁性酸化物半導体Zn_Mn_xO薄膜の磁気特性
- 27aYT-9 ドナーまたはアクセプター添加ZnO薄膜における電気的・光学的性質(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pXC-13 ドナードープ n 型 ZnO 薄膜における励起子フォノン複合体吸収帯の多体吸収端特異性(励起子・ポラリトン, 領域 5)
- 30aPS-29 ZnO/(Mg,Zn)O多重量子井戸における励起子発光の温度消光(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 28aXB-11 ZnO人工2次元構造中の励起子状態(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- 28pVA-4 ZnO/ZnMgO単一量子井戸中励起子の高密度励起効果(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 22pYH-11 ZnO/ZnMgO単一量子井戸中励起子発光の高密度励起効果(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
- ZnO非線形光学効果光導波路(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 23pPSA-2 MgO/Si(001)及びSrTiO_3/LaAlO_3における界面の反射率差分光法を用いた研究(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 酸化亜鉛系薄膜トランジスタ (特集 次世代FPD駆動用TFT)
- 酸化亜鉛電界効果デバイス
- 26pYC-4 格子整合基板上に成膜したZnO薄膜における光学スペクトルの温度変化
- 28pYF-9 ZnO : Al 薄膜の光学的性質 : 室温多体吸収端特異性の観測?
- 29a-ZG-8 ZnO半導体薄膜構造における励起子共鳴四光波混合スペクトル
- 22pWF-8 電気2重層ゲートによるSrTIO_3の超伝導(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- バッファー層による酸化物ヘテロエピタキシーの格子不整合エンジニアリング(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- 酸化物界面に閉じ込めた二次元電子の超伝導と量子ホール効果
- 酸化亜鉛系分極不整合界面の2次元伝導と導電性高分子を用いた伝導性制御
- 21pQC-2 電気二重層トランジスタの低温挙動(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pQC-2 電気二重層トランジスタの低温挙動(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- ZnOヘテロ接合の表面・界面制御と量子伝導
- 21pRJ-5 電気二重層ゲートFETによりZnO単結晶表面に高濃度誘起されたキャリアのホール効果測定(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- ZnO/MgZnO界面における量子ホール効果
- 21世紀を照らす光--酸化亜鉛発光ダイオード (2005年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (凝縮系の物理)
- ZnO青色発光ダイオード
- 新技術・新材料 酸化亜鉛発光ダイオード--結晶品質の向上がもたらした古い材料の新たな応用
- 21pQC-3 電気二重層ゲートによるSrTiO_3の表面量子化準位(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pQC-3 電気二重層ゲートによるSrTiO_3の表面量子化準位(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- SrTiO_3ヘテロ構造の高移動度電子輸送
- 電子を取り巻く環境を変えてみると……1格子層の結晶成長から生まれる新しい物理
- 酸化物界面に閉じ込めた二次元電子の超伝導と量子ホール効果
- 7p-J-16 レーザーMBE製作ZnO薄膜の室温励起子レーザー発振
- 25aWE-6 FET構造を用いたLa_Sr_FcO_3の電荷注入効果(遷移金属酸化物(ペロブスカイト),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aHC-13 EuO薄膜における磁気光学分光(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
- 25aHG-2 MgZnO/ZnOヘテロ構造における高移動度希薄二次元電子の量子ホール状態(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12pRB-1 (SrTiO_3)_(LaAlO_3)_x 混晶薄膜の結晶構造および電気特性(その他の遷移金属化合物, 領域 8)
- 27aZP-10 エピタキシャルペロブスカイト酸化物電界効果トランジスタの作製(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-10 エピタキシャルペロブスカイト酸化物電界効果トランジスタの作製(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 21pTP-2 ペロブスカイト酸化物電荷不整合界面の原子層制御と電子物性
- 酸化亜鉛紫外レーザー (特集 多様な電子機能をもつ酸化亜鉛の新展開)
- バンド絶縁体-モット絶縁体界面の電荷変調と金属伝導
- バンド絶縁体-モット絶縁体界面の電荷変調と金属伝導
- 酸化物界面に閉じ込めた二次元電子の超伝導と量子ホール効果
- 24aTC-8 PLD法によるBi_2Se_3単結晶薄膜の作製とキャリヤー制御(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-56 EuO薄膜における磁気光学分光II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pTR-1 MgZnO/ZnOヘテロ構造における高移動度希薄二次元電子の量子ホール状態(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- クロ-ズアップ:酸化物で紫外線レ-ザ-を創る
- ZnOナノ結晶からの室温励起子レーザー発振
- ZnOナノ結晶からの室温励起子レ-ザ-発振
- Two-dimensional Transport at Polar-heterointerface Based on ZnO and Electric-field Control with a Conducting Polymer
- 19aFB-7 ZnO二次元量子系におけるリエントラント整数量子ホール効果の出現(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aEA-4 (Bi_Sb_x)_2Te_3薄膜における表面キャリヤーの制御(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXQ-9 ZnO二次元電子系における有効質量の増大と電子相関(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aDD-7 (Bi_Sb_x)_2Te_3/InP界面ディラック状態における共鳴トンネルスペクトロスコピー(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pEA-7 B20型MnFe_xSi薄膜におけるスキルミオン形成とトポロジカルホール効果(マルチフェロ1,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pDD-12 ZnO系二次元電子における偶数分母分数状態の観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aEA-8 Eu_2Ir_2O_7薄膜における磁気八極子秩序と磁気輸送特性(Ir化合物,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 9. ZnOヘテロ構造を用いた光・電子素子応用への展望(酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)