14pXC-13 ドナードープ n 型 ZnO 薄膜における励起子フォノン複合体吸収帯の多体吸収端特異性(励起子・ポラリトン, 領域 5)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
川崎 雅司
東北大金研
-
大友 明
東工大院工:東北大金研
-
牧野 哲征
東北大WPI材料機構
-
瀬川 勇三郎
理研CMRG
-
塚崎 敦
東北大金研
-
大友 明
東北大金研
-
瀬川 勇三郎
理研PDC
-
牧野 哲征
理研PDC
-
吉田 伸
東北大金研
関連論文
- 20aHK-5 TiO_2-二次元銅酸化物ヘテロ接合における光キャリア注入III(20aHK 光誘起相転移(酸化物系),領域5(光物性))
- 21aHL-4 デラフォサイト型CuTMO_2薄膜の励起子物性(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 21aYK-3 磁性半導体Ti_Co_xO_のX線磁気円二色性の組成およびキャリア濃度依存性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXD-2 光照射によるTi_Co_xO_2の電子状態変化III(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30aVE-8 光照射によるTi_Co_xO_2の電子状態変化II(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYK-4 光照射によるTi_Co_xO_2の電子状態変化(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-10 ZnO単一ヘテロ構造における磁気発光特性(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- 28pVA-6 ZnO変調ドープ量子井戸における励起子発光・反射の偏光特性(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 12aYC-11 室温強磁性体ルチル型 Ti_Co_xO_2 の Co L-吸収端 XMCD(磁性半導体, 領域 4)
- 28pXB-10 人工超格子[(LaMnO_3)_m(SrMnO_3)_m]_n におけるMnの電荷状態の研究(Mn系 スピン電荷軌道結合)(領域8)
- 20aYH-12 ステップ基板上La_Sr_xMnO_3薄膜の一軸磁気異方性((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pXP-9 光電子顕微鏡によるステップ基板上La_Sr_xMnO_3薄膜の磁区構造観察(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 26aXB-3 TiO_2-二次元銅酸化物ヘテロ接合における光キャリア注入II(光誘起相転移(酸化物系),領域5,光物性)
- 28aVA-5 TiO_2-二次元銅酸化物ヘテロ接合における光キャリア注入(28aVA 光誘起相転移(酸化物系・その他),領域5(光物性))
- 29a-ZG-7 酸化亜鉛ナノ結晶薄膜の構築と紫外エキシトンレーザー発振
- 27aXQ-2 硬X線を用いたLa_Sr_xMnO_3薄膜のMn 2p内殻光電子分光(光電子分光)(領域5)
- STEMによるLaドープSrTiO_3人工超格子薄膜の原子構造解析
- 7p-J-17 透過型電子顕微鏡を用いたZnO成長薄膜のカソードルミネッセンス
- 21pXQ-2 B1型超伝導ZrN薄膜のテラヘルツ分光(超伝導・密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 22pTJ-7 走査型 SQUID 顕微鏡を用いたパイロクロア型モリブデン酸化物の磁区構造観察
- 29aPS-12 走査型 SQUID を用いたパイロクロア型モリブデン酸化物 Sm_2Mo_2O_7 の磁区構造観察
- 23aK-2 希薄磁性酸化物半導体Zn_Mn_xO薄膜の磁気特性
- 27pXC-11 エピタキシャル成長によるSr_2NiO_3単結晶薄膜の作成と光学評価(遷移金属酸化物光キャリア注入・分光))(領域8)
- 24aWJ-4 磁性半導体Ti_Co_xO_の磁気円二色性の磁場・温度依存性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pXQ-1 THz時間領域分光法による超伝導NbN薄膜の磁場下伝導度測定(超伝導・密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 12aYC-10 X 線光電子分光による Ti_Co_xO_2 の電子状態(磁性半導体, 領域 4)
- 29aYF-6 一次元銅酸化物の三次非線型光学応答の A サイトイオン半径依存性
- 20pPSB-30 励起子と光学フォノンとの相互作用 : ZnO量子井戸における実験との比較(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aYT-9 ドナーまたはアクセプター添加ZnO薄膜における電気的・光学的性質(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pXC-13 ドナードープ n 型 ZnO 薄膜における励起子フォノン複合体吸収帯の多体吸収端特異性(励起子・ポラリトン, 領域 5)
- 30aPS-29 ZnO/(Mg,Zn)O多重量子井戸における励起子発光の温度消光(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 21aTK-6 SrTiO_3/La_Sr_MnO_3とLaAlO_3/La_Sr_MnO_3ヘテロ界面のin situ角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
- 19aWG-10 基板応力により物性を制御したLa_Sr_MnO_3薄膜のin-situ角度分解光電子分光(19aWG Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aQE-4 La_Sr_xMnO_3薄膜のin-situ角度分解光電子分光 : バンドの繰り込み効果(26aQE 光電子分光・逆光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5(光物性))
- 23pZQ-13 In-situ角度分解光電子分光電子によるLa_Sr_MnO_3薄膜の電子状態 : 温度依存性(23pZQ Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pYD-12 In-situ角度分解光電子分光によるLa_Sr_xMnO_3薄膜のバンド構造 : 組成依存性(領域5,領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 19pYD-10 In-situ光電子分光によるSrRuO_3薄膜電子状態の膜厚依存性(領域5,領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 27pWE-9 SrTiO_3/La_Sr_MnO_3ヘテロ界面のin-situ放射光光電子分光(Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pZQ-12 基板応力により物性を制御したLa_Sr_MnO_3薄膜のin-situ光電子分光(23pZQ Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pZR-13 SrVO_3薄膜の角度分解光電子分光(23pZR V系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pZQ-15 電荷整列を抑制したPr_Ca_xMnO_3薄膜のin-situ光電子分光(23pZQ Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aPS-3 X線吸収の線二色性を用いたペロブスカイト型Mn酸化物薄膜の軌道状態の観測(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aQE-5 La_Sr_MnO_3/SrTiO_3/La_Sr_MnO_3スピントンネル接合界面のin-situ光電子分光(26aQE 光電子分光・逆光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5(光物性))
- 23pZQ-14 Nd_Sr_xMnO_3、Pr_Ca_xMnO_3薄膜のin-situ角度分解光電子分光(23pZQ Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aYF-5 一次元モット絶縁体、ハロゲン架橋 Ni 錯体及び銅酸化物の二光子吸収スペクトル
- 23pPSA-2 MgO/Si(001)及びSrTiO_3/LaAlO_3における界面の反射率差分光法を用いた研究(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 酸化亜鉛系薄膜トランジスタ (特集 次世代FPD駆動用TFT)
- 酸化亜鉛電界効果デバイス
- コンビナトリアル・マイクロケミストリーとその応用
- 単一粒界を用いた酸化物高温超伝導SQUIDの雑音
- 26pYC-4 格子整合基板上に成膜したZnO薄膜における光学スペクトルの温度変化
- 28pYF-9 ZnO : Al 薄膜の光学的性質 : 室温多体吸収端特異性の観測?
- 30pYH-10 ZnO/ZnMgO 量子井戸における内部電場効果
- 29a-ZG-8 ZnO半導体薄膜構造における励起子共鳴四光波混合スペクトル
- 25pXQ-1 一次元ニッケル酸化物における三次非線形光学応答(超伝導体・強相関系・磁性半導体・新分光法,領域5(光物性))
- 27aPS-40 SrRuO_3薄膜の軟X線磁気円二色性の膜厚依存性(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pWF-8 電気2重層ゲートによるSrTIO_3の超伝導(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- バッファー層による酸化物ヘテロエピタキシーの格子不整合エンジニアリング(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- 14pXA-10 二次元銅酸化物の二光子励起状態(光誘起相転移・超伝導体・強相関系, 領域 5)
- 25aWE-8 モット絶縁体LaTiO_3-バンド絶縁体SrTiO_3界面の光電子分光(遷移金属酸化物(ペロブスカイト),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12pRC-3 La_Sr_xMnO_3 薄膜の In-situ 角度分解光電子分光; 組成依存性(Mn 系_2 : スピン-電荷-軌道結合, 領域 8)
- 12pRC-1 膜厚をデジタル制御した La_Sr_MnO_3 薄膜の in-situ 光電子分光(Mn 系_2 : スピン-電荷-軌道結合, 領域 8)
- 12aXC-5 Laser MBE 法で作製した La_Sr_xMnO_3 薄膜の in-situ 共鳴光電子分光; 温度・組成依存性(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
- 12aXC-4 Laser-MBE 法で作成した La_Sr_MnO_3 薄膜のバンド構造・フェルミ面; in-situ 角度分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
- 27pXC-5 La_Sr_yFeO_3/La_Sr_xMnO_3ヘテロ界面における電荷移動層の形成 : in-situ共鳴光電子分光(遷移金属酸化物光キャリア注入・分光))(領域8)
- 27pXC-4 Laser-MBE法で作製したLa_Sr_xMnO_3薄膜のin-situ角度分解光電子分光(遷移金属酸化物光キャリア注入・分光))(領域8)
- 21aWB-12 LaserMBE 法で作製した La_Sr_MnO_3 薄膜の in-situ光電子分光 : 温度依存性
- 22aPS-97 レーザー MBE 法による La_Sr_xFeO_3 エピタキシャル薄膜の作製とその物性評価
- 28pWH-7 La_Sr_MnO_3 薄膜上に成長した La_Sr_FeO_3 超薄膜の in-situ 共鳴光電子分光
- 24pZL-16 In-situ光電子分光によるSrTiO_3/SrRuO_3ヘテロ界面の電子状態(24pZL Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 14aRA-6 Ca_Sr_xRuO_3 の光電子スペクトルにおけるスペクトル強度の移動(Ru 系, 領域 8)
- 27aXC-12 SrRuO_3薄膜のin-situ光電子分光(Ru酸化物)(領域8)
- 23pWQ-1 電気二重層トランジスタによるNd_2CuO_4への可逆的キャリアドーピング(23pWQ 高温超伝導(キャリア注入,多層系,ストライプ),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pRJ-5 電気二重層ゲートFETによりZnO単結晶表面に高濃度誘起されたキャリアのホール効果測定(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aWB-11 In-situ 光電子分光による La_Sr_xMnO_3 薄膜の電子状態
- 28pWH-5 La_Sr_xMnO_3(x=0∿0.55) 薄膜の in situ 光電子分光 : ホール濃度依存性
- 24aPS-29 LaAlO_3基板上に成長したPr_Ca_xMnO_3薄膜の磁気輸送特性(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aYH-11 Nd_Sr_xMnO_3薄膜のin-situ光電子分光((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pXC-8 La_Sr_xFeO_3薄膜のin-situ角度分解光電子分光(遷移金属酸化物光キャリア注入・分光))(領域8)
- 22pTP-15 in-situ 光電子分光による La_Sr_xFeO_3 薄膜の金属-絶縁体転移の観測
- 30pWF-6 La_Sr_xFeO_3 薄膜の in-situ 光電子分光
- 29aPS-12 走査型 SQUID を用いたパイロクロア型モリブデン酸化物 Sm_2Mo_2O_7 の磁区構造観察
- 12pRB-6 薄膜 in-situ 角度分解光電子分光による La_Sr_xFeO_3 のハント構造の決定(その他の遷移金属化合物, 領域 8)
- 22pWF-9 モット絶縁体NiOの電気二重層トランジスタ(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25aWE-4 La_Sr_xFeO_3の角度分解光電子スペクトルとタイトバインディング計算の比較(遷移金属酸化物(ペロブスカイト),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aWE-6 FET構造を用いたLa_Sr_FcO_3の電荷注入効果(遷移金属酸化物(ペロブスカイト),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12pRB-1 (SrTiO_3)_(LaAlO_3)_x 混晶薄膜の結晶構造および電気特性(その他の遷移金属化合物, 領域 8)
- 27aZP-10 エピタキシャルペロブスカイト酸化物電界効果トランジスタの作製(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-10 エピタキシャルペロブスカイト酸化物電界効果トランジスタの作製(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 21pTP-2 ペロブスカイト酸化物電荷不整合界面の原子層制御と電子物性
- 6pSA-5 ZnO/ZnMgO量子井戸における励起子分子の誘導吸収(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
- 6pXD-5 in situ角度分解光電子分光によるLa1-xSrxMnO3薄膜の電子状態(Mn系(構造・スペクトロスコピー),領域8)
- 9pXD-10 パイロクロア型モリブデン酸化物エピタキシャル薄膜の作製と磁気伝導測定(フラストレーション系(パイロクロア他),領域8)
- 6aSG-1 Laser MBE法により終端面を制御したLa0.6Sr0.4MnO3薄膜のin situ光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5)
- 6aSG-3 La1-xSrxMnO3薄膜のin situ角度分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5)
- 6pXD-6 高分解能Mn2p-3d共鳴光電子分光によるLa0.6Sr0.4MnO3薄膜の電子状態(Mn系(構造・スペクトロスコピー),領域8)
- 7pSB-10 X線吸収分光による希薄磁性半導体ZnO:TM(TM=Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu)の電子構造(磁性半導体,領域4)
- 6aSG-2 Laser MBE法により作製したLa0.6Sr0.4MnO3薄膜の高分解能2ρ-3d共鳴光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5)
- 6pXD-7 In situ光電子分光による終端面制御したLa0.6Sr0.4MnO3薄膜の電子状態(Mn系(構造・スペクトロスコピー),領域8)
- 25aYD-5 in situ レーザーMBE-光電子分光装置の開発と性能評価(25aYD 光電子分光,領域5(光物性分野))