蟹江 壽 | 東京理科大学基礎工学部

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概要

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関連著者

• 蟹江 壽

  東京理科大学

• 蟹江 壽

  東京理科大学基礎工学部

• 明石 健一

  東京理科大

• 瀬間 勇二

  東京理科大学基礎工学部

• 積木 秀実

  東京理科大学基礎工学部

• 積木 秀実

  東京理科大

• 小林 晋吾

  東京理科大学基礎工学部

• 佐野 雅敏

  東京理科大学

• 大塚 康二

  サンケン電気株式会社研究所

• 長野 正裕

  東京理科大学工学部電気工学科

• 大塚 康二

  サンケン電気

• 佐野 雅敏

  東京理科大学工学部電気工学科

• 荒木 宏之

  東京理科大学基礎工学部電子応用工学科

• 米沢 禎久

  双葉電子工業株式会社開発研究所

• 杢 哲次

  サンケン電気(株)研究所

• 朝原 康之

  サンケン電気(株)研究所

• 大城 裕二

  東京理科大学基礎工学部電子応用工学

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著作論文

• Te添加ZnS蛍光体を用いた青色蛍光表示管
• InGaNの2種の柱面からの発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• InGaNの2種の柱面からの発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 青色発光InGaN微結晶の作製条件(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 青色発光InGaN微結晶の作製条件(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 青色発光InGaN微結晶の作製条件(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• InGaNの2種の柱面からの発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 硫化物からのInGaN結晶の合成とその発光特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 硫化物からのInGaN結晶の合成とその発光特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 硫化物からのInGaN結晶の合成とその発光特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• アメリカで感じたこと
• ZnSコンパウンドソースを用いた分子線エピタキシー成長ZnS薄膜の表面観察

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