InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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予め合成しておいた窒化ガリウムとインジウム硫化物を混合してアンモニアで窒化する2段階作成法で合成した青色発光InGaN微結晶を,高い空間分解能をもつ分光CL装置で観察した.InGaN結晶はGaN晶癖面上に核を作ってから2次元成長していた.A面,M面上では,InGaNの2次元成長速度が速く核は融合して面全体を覆っていたが,C面上では速度が遅く島状で.C面に近い傾きをもつ{10-1x}面ほど速度がC面に近かった.C面,A面,M面上のInGaNの発光ピーク波長は410から430nmであまり変化しなかったが,発光強度は異なり,A面上のInGaNの発光強度はM面上より強かった.A面上で発光ピーク波長が440nmとなるInGaNを成長させる条件を探索する必要がある.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
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