InGaNの2種の柱面からの発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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青色のカソードルミネッセンス(CL)を示すInGaN結晶をGaNとIn硫化物を混ぜ合わせて1000℃でアンモニアと反応させて得た。得られたInGaN結晶は12面の柱面のある晶癖を持っていた。高空間分解能CL装置でこの結晶を観察したところ、強い青色CL発光を示す五角形の柱面と、あまり強い発光を示さない長方形の柱面が交互に並んでいた。これら2種の柱面の指数付けを後方散乱電子回折像(EBSP)を用いて行い、五角形の柱面は{11-20}a面、長方形の柱面は{1-100}m面であるとした。GaNの晶癖面の違いによりその上に成長するInGaNの発光特性が異なる点について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-20
著者
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