硫化物からのInGaN結晶の合成とその発光特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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硫化ガリウムと硫化インジウムから2段階作製法により合成すると青色発光を示すInGaN微結晶が得られるようになった.InGaN系窒化物蛍光体のもつ低電圧(50V以下)電子線励起発光用蛍光体としてのすぐれた特性を示した.GaN, InGaN微結晶を高空間分解能CL装置により詳細に観察し, CLスペクトルとCL像から, 非発光部が結晶の転位線と関係していること, 発光スペクトルにみられる双峰性を説明できるInGaNの成長機構や, 発光効率が励起キャリアの拡散長から推定できることを述べた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-19
著者
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- サマリー・アブストラクト
- InGaNの2種の柱面からの発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- 硫化物からのInGaN結晶の合成とその発光特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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