青色発光InGaN微結晶の作製条件(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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第1段階でGa硫化物とアンモニアとの反応でGaNを合成し、第2段階でGaNとIn硫化物の混合物とアンモニアとの反応で合成する2段階成長法を用いてInGaNを作製した。第2段階の成長温度、時間、原料のGa:Inモル比を変えて作製し、EPMAで結晶の形状、CL特性を調べたところ、紫外領域と可視領域にピークを持つ発光が見られた。950℃以上、5時間で成長させた柱状InGaNからのピーク波長はC面から370nm、柱面から420nmであった。950℃、10時間で成長させた表面に多数のピット構造のある結晶では紫外発光領域と青色発光領域はクレスト部分で重なっていて、紫外発光のピークは390nm、青色発光のピークは444nmと長波長化した。成長温度950℃、時間を3時間にした試料では結晶表面の凹凸が激しく、紫外発光のピークは370nmで、可視領域の発光ピークは570nmまで長波長化した。青色発光するIn濃度をもつInGaNが成長できるような表面を持つGaNまたはInGaNの下地を得られる成長条件を探索する必要がある。
- 2007-10-04
著者
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