野崎 眞次 | 電気通信大学
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概要
関連著者
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野崎 眞次
電気通信大学
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野崎 眞次
電気通信大学大学院情報理工学研究科
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内田 和男
電気通信大学
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内田 和男
電通大
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小野 洋
電気通信大学電子工学専攻
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森崎 弘
電気通信大学
-
小野 洋
電気通信大学
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小泉 淳
電気通信大学
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山口 浩一
電気通信大学
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楊 富穎
電気通信大学
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黒川 愛里
電気通信大学
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金 智
電気通信大学
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剱持 大介
電気通信大学電子情報学科
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佐藤 井一
電気通信大学電子情報学科
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本城 和彦
電気通信大学
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本城 和彦
(株)ワイケーシー
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中嶋 信生
電気通信大学人間コミュニケーション学科
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後藤 博一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
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後藤 博一
サンケン電気株式会社
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古嶌 勝貴
電気通信大学
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鹿内 洋志
サンケン電気株式会社
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中嶋 信生
電気通信大学
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永田 篤史
電気通信大学
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後藤 博一
サンケン電気
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李 一侃
電気通信大学電子工学専攻
-
横山 彩
電気通信大学
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長谷川 久
電気通信大学
-
脇 英司
電気通信大学
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中島 誠幸
電気通信大学院電気通信学研究科
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タン ホング
電気通信大学大学院情報理工学研究科
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高木 保志
電気通信大学大学院情報理工学研究科
著作論文
- C-10-8 電子線描画を用いたAlGaN/GaN HEMTにおけるオン抵抗の低減(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 高周波スパッタリングによるニッケル酸化物半導体の作製及び評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-10-11 二次元電子を用いた高性能ホール素子に関する研究(C-10.電子デバイス,一般講演)
- InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- バラスト抵抗用Ni微粒子混合Si_3N_4薄膜の作製と評価
- SiドープSiO2多層膜を用いた光共振器の作製とその光学的評価
- SiドープSiO2多層膜を用いた光共振器の作製とその光学的評価
- MBEによるInAsドット構造の選択的自己形成
- 選択成長における微細ストライプ構造の自己制限機構
- PC-1-5 大学におけるマイクロ波半導体回路教育 : プロセス・デバイス・回路・システム統合化の視点からのアプローチ
- C-10-5 階段状ドーピングプロファイルによるバラクターダイオードの高性能化(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- LedgeパッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- LedgeパッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタの温度特性(半導体材料・デバイス)