LedgeパッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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InGaP/GaAs HBT(Heterojunction Bipolar transistors)には、メサ形状を有するため、高濃度のBase層表面が露出し、Emitter周辺で再結合電流が生じ、電流利得が低下してしまう問題がある。また、電気的なストレスにより、デバイスの特性が劣化するという信頼性に関する問題も生じる。本研究はInGaP Ledgeパッシベーションを用い、室温から高温までの電気ストレス前後のInGaP/GaAs HBTの特性を調べた。室温において、InGaP Ledgeパッシベーションが非常に効果的であるが、ストレス、特に高温でストレスを加えると、InGaP Ledgeパッシベーションを行ったHBTは通常のHBTより高い電流利得を示すものの、劣化を完全に抑制することはできない。以上のLedgeパッシベーションの効果は、その幅にはよらないことも明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-09
著者
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