内田 和男 | 電気通信大学
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
内田 和男
電気通信大学
-
野崎 眞次
電気通信大学
-
野崎 眞次
電気通信大学大学院情報理工学研究科
-
内田 和男
電通大
-
小野 洋
電気通信大学電子工学専攻
-
森崎 弘
電気通信大学
-
小野 洋
電気通信大学
-
小泉 淳
電気通信大学
-
楊 富穎
電気通信大学
-
黒川 愛里
電気通信大学
-
金 智
電気通信大学
-
本城 和彦
電気通信大学
-
本城 和彦
(株)ワイケーシー
-
中嶋 信生
電気通信大学人間コミュニケーション学科
-
後藤 博一
サンケン電気株式会社技術本部先行技術開発統括部
-
後藤 博一
サンケン電気株式会社
-
古嶌 勝貴
電気通信大学
-
鹿内 洋志
サンケン電気株式会社
-
松本 功
日本酸素(株)つくば研究所
-
中嶋 信生
電気通信大学
-
YU Peter
カリフォルニア州大バークレー校物理
-
ZEMAN Jan
チェコスロバキア・アカデミーサイエンス
-
MARTINEZ Gerard
グルノーブル高磁場研究所CNRS研究部
-
永田 篤史
電気通信大学
-
後藤 博一
サンケン電気
-
松本 功
日本酸素 つくば研
-
李 一侃
電気通信大学電子工学専攻
-
横山 彩
電気通信大学
-
中島 誠幸
電気通信大学院電気通信学研究科
-
タン ホング
電気通信大学大学院情報理工学研究科
-
高木 保志
電気通信大学大学院情報理工学研究科
著作論文
- 自然超格子を有するGaInP/GaAsヘテロ構造におけるホトルミネッセンスアップコンバージョンの高圧及び高磁場を用いた研究
- C-10-8 電子線描画を用いたAlGaN/GaN HEMTにおけるオン抵抗の低減(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 高周波スパッタリングによるニッケル酸化物半導体の作製及び評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-10-11 二次元電子を用いた高性能ホール素子に関する研究(C-10.電子デバイス,一般講演)
- InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- バラスト抵抗用Ni微粒子混合Si_3N_4薄膜の作製と評価
- PC-1-5 大学におけるマイクロ波半導体回路教育 : プロセス・デバイス・回路・システム統合化の視点からのアプローチ
- C-10-5 階段状ドーピングプロファイルによるバラクターダイオードの高性能化(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- LedgeパッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- LedgeパッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタの温度特性(半導体材料・デバイス)