葛西 誠也 | 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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葛西 誠也
北海道大学
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
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葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科
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Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
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白鳥 悠太
北大院情報科学および量集センター
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葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
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三浦 健輔
北大院情報科学および量集センター
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三浦 健輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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村松 徹
北大院情報科学および量集センター
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村松 徹
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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村松 徹
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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中野 雄紀
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐藤 将来
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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柴田 啓
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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中田 大輔
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター
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中田 大輔
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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葛西 誠也
JSTさきがけ
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谷田部 然治
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
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前橋 兼三
阪大産研
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長谷川 英機
北海道大学
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中村 達也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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葛西 誠也
北大院情報科学
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松本 和彦
大阪大 産科研
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大野 恭秀
大阪大学産業科学研究所
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前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
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井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
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松本 和彦
大阪大学産業科学研究所
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袴田 靖文
大阪大学産業科学研究所
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中村 達也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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長谷川 英機
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
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小谷 淳二
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
著作論文
- ゆらぎや雑音と共存可能な新しい集積ナノデバイス
- 決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共振素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討(センサデバイス,MEMS,一般)
- C-10-9 GaAsナノワイヤCCDの試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた高集積フリップフロップ回路の試作と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- CT-2-3 雑音共存確率共鳴トランジスタ(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN_x絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-11 光照射局所コンダクタンス変調法によるGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイス非線形伝達特性の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討