ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
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概要
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ショットキーゲートGaN系ヘテロ構造FET(HFET)に関し, ナノメートルサイズまでゲート長を短縮した際に生じる特有のゲートリーク電流, および, ゲート制御性のスケーリング異常について, 理論的・実験的検討を行った.ナノメートルショットキーゲートでは, ゲート端と表面電位の差によって形成される強電界領域をキャリアがトンネルするため生じる, 横方向リーク電流が顕著に生じる.またそのゲート制御特性は, この横方向電流成分により引き起こされたゲート端近傍の表面電位の変化: 仮想ゲートにより支配され, スケーラビィリティが失われる.この機構がGaN系材料で固有のものである要因についても考察する.
- 2005-11-18
著者
-
長谷川 英機
北海道大学
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
小谷 淳二
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学
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