ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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2つの微細ショットキーラップゲート(WPG)を有するGaAs系3分岐ナノワイヤ接合デバイスを試作し、その特性評価を行った。左右ブランチ端にプッシュプル形式で電圧を印加すると、中央ブランチ端の電位は明瞭な非線形な特性を示した。さらに、各WPGに左右非対称のゲート電圧を印加し、左右のブランチのポテンシャルを独立して制御することで、中央ブランチ端の電位に非対称性が認められた。WPGによりナノワイヤの実効綿綿幅を狭窄することで、バリスティック領域における非線形性がより顕著になることを実験的に確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-25
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
中村 達也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
-
白鳥 悠太
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
中村 達也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Kasai S
Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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