堀 祐臣 | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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概要
関連著者
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
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Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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原田 脩央
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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原田 脩央
北大量集センター情報科学研究科
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ミツェーク マルチン
Institute of Phisics, Silesian University of Technology
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ミツェーク マルチン
Institute Of Phisics Silesian University Of Technology
著作論文
- 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性