スパッタリング法によるTiO_2およびTiN薄膜結晶成長
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概要
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A titanium dioxide (TiO_2) thin film, grown by the radio frequency (RF) sputtering method with gas pressure of 4×10^<-2> Torr, showed its polycrystalline structure of rutile phase by the X-ray diffraction method. Its electrical resistivity was estimated to be p=0.04 [Ωm]. A titanium nitride (TiN) thin film, grown by the same method with varied power, was measured its angles by the X-ray diffraction method, which demonstrated its structure should be polycrystalline.
- 旭川工業高等専門学校の論文
- 2007-03-05
著者
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